三星2nm良率超60%,目标2030年推1nm制程
三星计划2030年推出1nm制程,并报告其2nm良率已超60%,特斯拉AI6芯片预计2027年采用SF2T工艺量产。台积电和Rapidus亦在推进1nm路线图,加剧先进制程竞争。
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此为长期技术路线宣示,对当前供应链、库存及现货价格无直接影响。
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- Samsung Electronics, TSMC, Rapidus
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三星计划2030年推出1nm制程,并报告其2nm良率已超60%,特斯拉AI6芯片预计2027年采用SF2T工艺量产。台积电和Rapidus亦在推进1nm路线图,加剧先进制程竞争。
此为长期技术路线宣示,对当前供应链、库存及现货价格无直接影响。
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