韩日提出垂直DRAM架构,互连提升4倍
韩日研究人员提出V-Die与MOSAIC架构,将DRAM垂直放置以解决HBM散热问题。V-Die通过液冷将互连提升4倍并降低37%延迟,MOSAIC则利用感应耦合提升30%容量与3倍热导率。
中性
该技术目前仍处于原型阶段,对现货价格无直接影响。
- Related manufacturers
- SK hynix, Samsung Electronics, Micron, UNIST, University of Tokyo
- Impact score
- 10 / 100, low impact