北京大学开发首个全碳纳米管CFET电路
北京大学团队开发出首个全碳纳米管CFET数字逻辑电路,峰值电压增益达164。该成果采用无掺杂CMOS技术解决了驱动能力失配问题,展示了高稳定性与低功耗特性。
利多
标志着碳纳米管作为后硅时代通道材料的重大技术进展,但短期内无商业量产影响。
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北京大学团队开发出首个全碳纳米管CFET数字逻辑电路,峰值电压增益达164。该成果采用无掺杂CMOS技术解决了驱动能力失配问题,展示了高稳定性与低功耗特性。
标志着碳纳米管作为后硅时代通道材料的重大技术进展,但短期内无商业量产影响。
文章探讨AI对模拟设计的影响,目前主要用于辅助运算放大器等组件选择。研究显示AI可帮助优化设计流程,如加州大学戴维斯分校利用计算重构缩小光谱仪尺寸。
技术趋势,暂无实质性供需数据。
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