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英伟达GB10芯片3nm裸片图曝光，GPU面积增大

英伟达与联发科联合开发的GB10芯片采用台积电3nm工艺，其GPU芯粒面积较5nm版本增大12.5%-16.7%。面积增大源于工艺迁移初期的宽松设计策略，旨在提升良率并可能支持更高频率。