Renesas推出8x8mm双面散热650V氮化镓
Renesas推出8x8mm双面散热650V氮化镓器件,瞄准800V AI数据中心。该封装设计旨在提升高压数据中心转换器的功率密度。
利多
此举有助于解决AI服务器高功率转换器的散热瓶颈。
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- Renesas Electronics Corporation
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Renesas推出8x8mm双面散热650V氮化镓器件,瞄准800V AI数据中心。该封装设计旨在提升高压数据中心转换器的功率密度。
此举有助于解决AI服务器高功率转换器的散热瓶颈。
纳微半导体发布10kW DC-DC平台,峰值效率达98.5%,面向800V AI数据中心。该平台采用其GaN和SiC功率半导体技术,以应对AI算力激增带来的高功率密度需求。
此为远期技术趋势,可能温和提振高端功率器件需求,但对当前现货价格及短期供应无直接影响。
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