DRAM NAND合约价Q4涨15至20%
TrendForce预测2026Q4 DRAM与NAND合约价环比上涨15至20%，主因原厂将产能投入高性能服务器及AI需求。
利多
服务器DRAM供不应求且企业级SSR涨幅扩大。
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TrendForce预测2026Q4 DRAM与NAND合约价环比上涨15至20%，主因原厂将产能投入高性能服务器及AI需求。
服务器DRAM供不应求且企业级SSR涨幅扩大。
TrendForce预测Q2 DRAM合约价将环比上涨58-63%，NAND Flash将上涨70-75%，延续Q1的暴涨趋势。价格上涨主因是AI服务器需求强劲，供应商将产能转向高利润服务器产品，且云服务商通过长期协议锁定大部分供应。
供应持续紧张且NAND涨幅首次超越DRAM，预示采购成本将面临更严峻的上行压力。
MLC NAND合约价在2026年第一季度翻倍，预计第二季度将再次翻倍。全球主要存储器制造商退出旧制程节点，导致低容量eMMC供应中断，新增产能被迅速吸收。
持续的供应短缺和已确认的剧烈价格上涨，预示NAND闪存价格将继续上行。
Counterpoint报告显示，2026年第一季度移动DRAM与NAND Flash价格环比分别暴涨超50%和90%，导致智能手机BOM成本结构巨变。内存成本在低端机型BOM中占比将升至43%，高端机型成本预计增加100-150美元。
内存现货价格已确认大幅上涨，将直接推高采购成本并挤压整机制造商利润。
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