广汽埃安 Ray7 开启预售:华为 DriveONE 多合一电驱,12.88 万元起
广汽埃安 Ray7 纯电轿车于10月17日开启预售,共5款车型,预售价12.88万元起,最高15.88万元。搭载华为 DriveONE 多合一电驱、192线激光雷达及高通骁龙8295P芯片。
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广汽埃安 Ray7 纯电轿车于10月17日开启预售,共5款车型,预售价12.88万元起,最高15.88万元。搭载华为 DriveONE 多合一电驱、192线激光雷达及高通骁龙8295P芯片。
2026年10月14日,CNBC报道称长鑫存储的技术突破导致全球存储巨头股票集体大跌。美光股价下跌3.62%,韩国上市的SK海力士股价收跌10%,三星电子下跌7.4%,其他存储芯片相关股票如闪迪、希捷和西部数据也纷纷走低。长鑫存储宣布新型DRAM架构4F²取得进展,预计年底推出新一代DDR5 RDIMM产品。事件为观察到的股价下跌。
存储板块经历多重压力叠加的集中抛售:美光周一收跌3.88%,闪迪跌幅更深至5.97%,两只标杆股连续七个交易日中六个交易日下跌,美光距6月高点跌幅接近20%,濒临技术性熊市。原文将导火索归结为三重冲击:一是韩国市场在韩文日假期休市后补跌,KOSPI周一大跌3.65%收于6384.2点,紧贴200日均线支撑位6376点,KOSDAQ跌4.8%,KRXSEMI下挫5.2%,SK海力士与三星各跌约4.5%;外资连续第五日净卖出,科技板块单日净卖出规模达13亿美元,其中SK海力士遭抛售7.82亿美元、三星遭抛售4.15亿美元,散户在三星净买入7.1亿美元但呈下降趋势。二是三星与SK海力士合计约55万亿韩元(约400亿美元)的韩国史上最大回购计划已提前数周结束,三星回购于10月6日实际终止;回购结束后三个交易日KOSPI累计下跌约8%,KOSPI较6月22日历史高点下跌约30%,SK海力士跌幅达45%。三是长鑫科技总裁曹堪宇在10月9日至10日上海举行的第四届集成芯片和芯粒大会上宣布4F²架构研发取得关键进展,并预计年底推出融合4F²架构、混合键合等先进技术的新一代DDR5 RDIMM产品,面向服务器内存市场;4F²使单元面积缩减约三分之一,理论上可实现约50%的存储密度提升;SK海力士直至2025年才公布4F²路线图,三星目标是2028年实现基于该架构的10nm以下DRAM量产,若长鑫年底如期交付,将在单元架构层面领先韩国两大巨头约两年。基本面上,南亚科技三季度营收达新台币1336亿元,环比增长62%、同比暴增612%,毛利率85.7%环比提升6.2个百分点,营业利润率80%,混合平均售价环比涨幅超60%,管理层预计2027年合同价格仍可实现两位数涨幅;三星三季度营业利润近九倍增长。高盛Prime Book数据显示上周美国信息技术板块转为净卖出最多的板块,且是七周内卖出速度最快的一次。后续关注点:三星将于10月29日举行财报电话会议,ASML向韩国客户上调备件价格约10%将于2027年1月生效,台积电周四、ASML周三公布业绩。
10月12日A股早盘集体低开,截至发稿沪指跌0.22%、深成指跌0.96%、创业板指跌1.10%,盘中再度失守3000点。覆铜板板块再度领跌AI阵营,宏昌电子跌停,金安国纪、华正新材、贤丰控股均跌8%左右,生益科技、胜宏科技跟随下滑;报道称郭明錤供应链调研显示英伟达Rubin Ultra(NVL576)下一代服务器中背板正在测试无玻纤覆铜板。早盘PCB概念震荡走弱,宏昌电子逼近跌停,迅捷兴、金安国纪、华正新材、贤丰控股、广合科技等多股跌超5%;港股光通信、PCB概念股走弱,剑桥科技一度跌超10%,长飞光纤光缆、中际旭创跌近5%,广合科技跌超9%,大族数控跌超5%,胜宏科技跌超4%,建滔积层板跌超3%。半导体设备概念震荡拉升,京仪装备涨近10%,华峰测控、拓荆科技、托伦斯、中科飞测跟涨;据报道ASML将统一上调在韩国供应的设备替换零部件价格,涨幅10%,新价格将从明年1月起生效,本次涨价范围涵盖EUV及DUV光刻机的全部零部件。据证券时报,当地时间10月9日美国国际贸易委员会就美国Vicor Corporation提出的相关专利侵权主张正式启动337调查,主要针对垂直供电系统、相关组件及包含上述产品的计算系统,被列入调查的企业包括立讯精密、工业富联、台达电子、英飞凌等;立讯精密表示相关产品目前处于客户验证阶段、尚未进入量产状态,工业富联表示涉及产品尚处于内部验证评估阶段,两家公司均表示本次调查现阶段不会对生产经营及业绩造成重大不利影响。港股恒科指高开超1%后一度转跌、截至发稿跌0.29%,新能源汽车股上涨,零跑汽车涨超6%;国内商品期货多数上涨,碳酸锂暴跌超8%;银行逆势走强,中国银行、中信银行A股同创历史新高。
据The Elec报道,ASML计划对其供应韩国市场的所有更换零部件提价10%,涵盖EUV和DUV光刻系统。报道称ASML已于9月初通过其韩国子公司将涨价计划通知三星电子和SK海力士,新价格将适用于2027年1月开始的交付。此次提价覆盖从定期采购的耗材到因故障或性能下降而更换的主要零部件;报道指出,虽然ASML此前曾因原材料成本上升或供应短缺对个别零部件调价,但全面上调10%并不常见,行业消息人士称公司寻求从客户利润中获取更大份额。此外,ASML据报正与主要客户讨论提高新订购光刻设备的价格。背景方面:ASML去年来自服务、更换零部件及装机设备升级的收入为81.93亿欧元,约占总收入326.67亿欧元的25%,并预计该业务今年增长超过30%;据Reuters,其售价约2亿美元的EUV设备几乎售罄至2027年,下一代High-NA EUV设备售价约4亿美元。另据报道,ASML曾寻求对DUV设备提价10%,部分中国客户接受,而TSMC据称抵制EUV和DUV涨价;Applied Materials在8月财报电话会议表示产品涨价支撑利润率扩张,Tokyo Electron7月下旬称正协商调价以抵消成本上升;部分沉积设备零部件交期从4个月延长至最长10个月,部分日本产激光加工设备零部件交期最长可达40个月。原文未说明单一确切原因,报道将涨价与AI驱动的扩产需求、通胀及原材料成本上升相联系。
2027年12英寸晶圆新LTA价格预计上涨15-25%(外延片)至40%以上(抛光片),部分二线客户涨幅或超50%。随着疫情期合同到期及原材料、电力成本飙升,行业进入新一轮涨价周期,且现货价有望在Q4超越现有LTA水平。
晶圆供应商,如环球晶圆预计2027年ASP同比上涨32.6%至122美元,AI算力需求是核心驱动力。
1GB内存采购价从2.8美元飙升至12美元,Google将Pixel 11 Pro内存从16GB削减至12GB。迫于成本压力,Google启动专项计划优化Android系统以降低内存占用。
内存价格持续上涨;利空:未来需求可能因系统优化而减少。
TrendForce预测2026年Q3 DRAM合约价环比涨13%至18%,戴尔宏碁联想推8GB起跳机型。微软Surface Laptop 2026因8GB内存卡顿引发关注,且微软更新指南承认8GB仅适合基础使用。
DRAM价格,供需紧张及成本上涨周期将持续。
自2025年第四季度起,光纤价格持续上涨,主要受AI数据中心建设推动。FiberHome等厂商正扩产预制棒和特种光纤,Han's Laser等跨界玩家也加入竞争。
需求强劲推高价格,厂商积极扩产。
三星电子预计Q2利润同比暴涨18倍至580亿美元,受DRAM和NAND价格周环比上涨40%和50%驱动。
存储现货价格。
TrendForce预测2026年Q1传统DRAM合约价涨90%-95%,Q2将再涨58%-63%。Qualcomm推出Snapdragon C平台瞄准300美元预算级笔记本,但内存成本飙升正挤压该细分市场生存空间。
DRAM供应商,利空预算级笔记本厂商及下游库存。
Valve将Steam Deck 512GB OLED版提价至789美元,1TB版涨超46%至949美元,主要受内存和存储成本上升影响。分析师预测2027年前内存短缺将持续,AI需求激增是主因。
AI需求推高内存价格,加剧供应链紧张。
微软将其Surface系列笔记本电脑全线上调200至500美元,官方声明归因于内存及组件成本上涨。此举发生在DDR4现货价近期小幅回落之后,凸显OEM成本传导压力。
主要PC OEM公开确认并传导成本压力,强化了存储芯片市场供应紧张、价格高企的现状。
DDR5零售现货价在德、美、中市场普遍回落,主流16GB套件在华价格较1-2月高点累计下跌25-30%。此次回调主要反映消费端动能减弱,原厂合约价暂稳且传导至出货存在1-2个月滞后。
现货市场疲软预示消费需求转弱,零售渠道近期价格承压。
业内人士王腾预测内存价格将在2026年第二季度继续上涨,存储扩产需2-3年,价格恢复正常预计要到2028年。此预测基于当前消费电子行业艰难及产能扩张周期。
明确预告关键大宗组件价格将持续上行,直接影响采购与交易决策。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
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| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |