MLCC电阻电感涨价15%至70%
MLCC、电阻及电感价格普涨15%至70%，原材料成本压力传导至终端。AI服务器与电动车需求激增，致厂商产能利用率超95%。
利多
被动元件价格上行趋势确立。
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MLCC、电阻及电感价格普涨15%至70%，原材料成本压力传导至终端。AI服务器与电动车需求激增，致厂商产能利用率超95%。
被动元件价格上行趋势确立。
TrendForce报告显示，主流DDR4 1Gx8 3200MT/s现货价本周上涨0.28%至36.00美元，512Gb TLC晶圆现货价下跌1.03%至19.862美元。低密度DDR4和DDR3出现上涨动能，但整体市场仍呈横盘，因报价高企且买家不愿追高。
低密度DRAM，利空NAND Flash，关注库存调整。
力积电3月大幅调涨DRAM代工价格，4月显著提高NAND闪存晶圆起始价。微软、谷歌等AI巨头已与主要DRAM供应商签订三年长约，预计2026下半年内存市场将持续结构性短缺。
内存及逻辑代工价格普涨，供应紧张，直接推高采购成本。
2026年3月关键被动元件现货价飙升，MLCC涨8-15%，钽电容涨12-18%，铝电解电容涨10-20%，主因汽车与工业需求旺盛及交期延长。连接器及部分电容交期已拉长至30-40周。
需求持续与供应限制预示价格上行压力将持续。
铝箔成本上涨推动台日铝电容价格走高，电感、芯片电阻后成本战蔓延至该领域。上游金属价格持续攀升，已逼近供应商成本临界点。
铝电容直接面临涨价压力，采购成本将上升。
Murata宣布2026年4月1日起上调MLCC及磁珠等元件价格，三星机电亦跟进。受AI、EV及医疗设备需求激增驱动，高阶MLCC供需紧张，台厂如国巨、华新科将显著受益。
2026年2月无源元件现货价飙升，MLCC涨8-15%，钽电容涨12%，交期拉长至20-30周。此轮上涨由汽车与工业需求持续强劲及原材料供应紧张共同驱动。
现货价格直接上涨与交期延长表明供应紧张局面将持续。
韩日供应商将WF₆价格上调70-90%，中国国产化率超65%。美中科技紧张局势及存储芯片需求激增推高价格，3D NAND及先进逻辑制程需求增加。
特种气体价格结构性上涨，国产替代加速。
MLCC现货价周环比暴涨15-20%，交期拉长至20-30周；铝电解电容因原材料成本与产能紧张价格上涨8-12%。价格上涨主因是汽车/工业需求强劲、原材料通胀及部分产能转换。
现货价格明确上涨与交期显著延长，显示供应紧张加剧，对采购与交易构成直接上行压力。
2026年2月无源元件现货价飙升，MLCC涨8-15%，钽电容涨12-20%，铝电解电容涨10-18%。主因是汽车与工业领域需求持续旺盛，叠加产能扩张受限。
现货与合约价面临直接上涨压力，交期延长趋势将持续。
AI服务器需求正推高钽电容价格。该需求增长源于AI服务器硬件对高性能被动元件的消耗。
特定应用需求激增直接导致关键组件价格上涨。
国巨集团通过子公司基美宣布，对部分聚合物钽电容产品进行价格调整，新价格将于4月1日生效。这是国巨对该类产品进行的第三次调价。
对特定被动元件施加直接的上行价格压力，影响采购成本。
Yageo子公司Kemet宣布第三次上调钽电容价格，新价格将于4月1日生效。受AI服务器需求强劲及钽聚合物电容供应缺口扩大驱动。
供需失衡将推高现货价格。
三星电机与村田制作所因AI数据中心需求导致产能满载，预计将推高MLCC价格。三星电机正将策略重心从出货量转向定价，村田则暗示最早可能在2026年3月提价。
供应受限叠加制造商主动提价策略，将直接推升现货价格。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |