索尼PS6掌机定价超600美元
AMD爆料人Kepler_L2称索尼PS6掌机定价将超过600美元。原因在于AI热潮推动的LPDDR内存价格飙升，推高了制造成本。
利空
掌机面临进一步涨价风险，削弱其竞争力。
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AMD爆料人Kepler_L2称索尼PS6掌机定价将超过600美元。原因在于AI热潮推动的LPDDR内存价格飙升，推高了制造成本。
掌机面临进一步涨价风险，削弱其竞争力。
三星与SK海力士2Q26 DRAM NAND ASP分别涨40%与60%，HBM4 ASP涨至32美元。受客户多元化及通用内存涨价驱动，ASP增长成为营收新杠杆。
三家厂商2H盈利预期向好。
TrendForce预测2026年Q1传统DRAM合约价涨90%-95%，Q2将再涨58%-63%。Qualcomm推出Snapdragon C平台瞄准300美元预算级笔记本，但内存成本飙升正挤压该细分市场生存空间。
DRAM供应商，利空预算级笔记本厂商及下游库存。
SemiAnalysis预计DRAM价格将翻倍，LPDDR5合约价格自2025年Q1以来已上涨三倍，且HBM供应短缺将持续至2027年。受AI需求驱动，制造商将产能转向HBM，导致传统DDR5和LPDDR5供应受限。
服务器价格预计上涨20%，现货价格可能超过10美元/GB。
SemiAnalysis预计2026年DRAM价格将翻倍以上，超大规模数据中心内存支出占比从2023年的8%飙升至30%。HBM供应短缺将持续至2027年，LPDDR5合约价自2025年Q1以来已上涨超三倍。
明确的价格暴涨预测和长期短缺预期，显示内存供需严重失衡。
Nikkei报道DRAM和NAND闪存价格正以前所未有的速度飙升，已占智能手机成本的90%。这一核心元器件成本的激增正在严重挤压低端机型的利润空间。
智能手机整机厂商，利好存储原厂。
Micron宣布DDR5利润率反超HBM，现货DRAM价格近期涨幅超60%。受益于供需紧张及HBM产能被占用，通用DRAM价格随行就市上涨，而HBM受长期合同锁定价格。
现货DRAM价格飙升推动非HBM业务利润率超越HBM。
OPPO与一加宣布自3月16日起上调A/K/Ace系列手机售价，涨幅最高达500元，vivo与荣耀预计跟进。涨价主因内存等元器件成本持续攀升，集微网称部分千元机已陷入负毛利。
终端成本传导压力加剧，上游存储芯片供应商议价能力强化，渠道商已出现提前备货行为。
Counterpoint报告指出，受内存短缺影响，2026年全球智能手机出货量将创13年新低。安卓品牌手机价格普涨1000至3000元，主因是LPDDR4与LPDDR5价格预计将攀升至2025年第三季度的近三倍。
内存芯片价格将维持强势。
Counterpoint预计LPDDR4/5内存价格将在2026年第二季度接近2025年第三季度的两倍，供应紧张态势将持续至2027年末。此次AI驱动的零组件涨价已导致安卓OEM产品组合价格在2026年1月上涨10-20%，并可能使<200美元细分市场出货量下降20%。
对关键移动内存组件价格给出了具体、量化的上涨预测，直接影响采购成本。
联想与宏碁因存储芯片成本飙升50%-100%，将于2026年3月初对部分商用及消费PC产品提价。惠普预计内存/存储占PC物料成本比例将从15-18%升至约35%，短缺或持续至2027年。
终端厂商明确提价动作及BOM占比翻倍，直接印证内存芯片现货价格持续上涨压力。
苹果已接受三星LPDDR5X内存100%的提价，NAND报价据报翻倍，合约周期从半年缩短至季度。此举源于供应可见性收紧，主要供应商谈判立场强硬。
确认的巨额涨价及供应商议价能力增强，预示内存合约价将持续承压上行。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |