联想集团董事长杨元庆确认，上季度存储芯片价格涨幅达40%-50%，本季度涨幅可能翻番。此轮涨价由AI服务器算力需求爆发驱动，已导致魅族、华硕等手机厂商暂停业务更新。利多：AI需求持续推高存储芯片价格，对上游存储制造商构成明确利好，同时加剧下游终端厂商的成本压力与行业洗牌。

Micron宣布DDR5利润率反超HBM，现货DRAM价格近期涨幅超60%。受益于供需紧张及HBM产能被占用，通用DRAM价格随行就市上涨，而HBM受长期合同锁定价格。利多：现货DRAM价格飙升推动非HBM业务利润率超越HBM。

微星预计2026年因内存成本上升，游戏产品价格将上涨15-30%。涨价源于AI需求激增导致内存等关键部件供应紧张。利多：消费电子领域成本推动型涨价获厂商确认，预示DRAM价格压力将持续传导至下游终端。

Murata宣布2026年4月1日起上调MLCC及磁珠等元件价格，三星机电亦跟进。受AI、EV及医疗设备需求激增驱动，高阶MLCC供需紧张，台厂如国巨、华新科将显著受益。利多。

微星计划2026年将游戏产品价格上调15-30%，主因DRAM与英伟达GPU供应短缺。16GB DRAM模组现货价已从约40美元飙升至170-180美元，公司正寻求签订3-5年供应合约以稳定库存。利多：明确的终端产品提价与核心部件短缺，预示现货市场价格将持续承压上行。

联电、世界先进、力积电及晶合集成计划自2026年4月起上调成熟制程代工报价，涨幅最高达10%，力积电已在本季度开始提价。此次调价源于台积电将成熟产能转向先进制程导致供给收紧，同时汽车、工业及服务器应用需求复苏。利多：直接推高IC设计公司晶圆成本，成本压力将沿供应链传导，影响终端元件价格。

三井金属将于2026年4月起对MicroThin铜箔产品提价12%，三菱瓦斯化学部分产品涨幅达30%。涨价主因AI服务器需求挤占产能、LME铜价创历史新高及关税预期下的囤货行为。利多：PCB核心原材料成本直接上升，将传导至主板、显卡等所有电子组件。

三井金属将于2026年4月起对所有MicroThin铜箔产品提价12%，三菱瓦斯化学部分产品涨幅达30%。涨价主因是AI服务器需求挤占通用产能、LME铜价创历史新高以及关税焦虑引发的囤货。利多：PCB核心原材料成本明确上涨，将直接传导至主板、显卡、电源等下游硬件价格。

2026年Q1手机DRAM售价环比暴涨近九成，12GB LPDDR5X采购成本从约200元飙升至近600元。原因为AI服务器需求挤占产能，导致消费电子端内存供需严重失衡。利多：存储芯片现货价格出现明确、大幅上涨信号，供应链成本压力剧增。

DDR5现货价周涨8%，NAND Flash合约价Q1涨5-10%，主因AI服务器需求及原厂减产。三星、SK海力士、美光优先保障HBM等高利润产品，挤压标准品产能。利多：现货与合约价双涨，直接推高存储芯片采购成本。

2026年2月，1Tb TLC NAND闪存晶圆现货价格暴涨25%至25美元，DDR5 16Gb芯片均价亦环比上涨7.4%。AI基础设施需求导致产能优先分配至高利润服务器内存，消费级NAND及常规DRAM供应严重不足。利多：现货与合约价预测均大幅上修，供应结构性压力持续。

三星电子已于上月与主要客户完成一季度DRAM供货价格谈判，服务器、PC及移动端通用DRAM均价较上季度上涨约100%。该消息直接刺激A股存储芯片概念股盘中活跃。利多：明确的、全产品线季度合约价大幅上涨，为现货及后续合约价格提供强劲上行指引。

2026年2月NAND闪存晶圆现货价环比飙升25%，1Tb TLC达25美元；DDR5 16G芯片均价涨7.4%至39美元。价格上涨核心动力来自AI基建吸收服务器DRAM/HBM产能，以及存储厂商将更多NAND产能转向企业级SSD。利多：现货价格持续快速上行，TrendForce已将Q1 DRAM合约价涨幅预期上调至90-95%，供应趋紧态势明确。

2026年2月现货市场1Tb TLC NAND晶圆价格环比暴涨25%至25美元，DDR5 16G芯片上涨7.4%至39美元。TrendForce将Q1 DRAM合约价涨幅预期从55-60%上调至90-95%，主因AI数据中心需求远超供给。利多：现货与合约价双重强劲上涨，预示存储芯片价格将持续承压上行。

联想已向渠道商下发调价函，部分电脑型号终端零售价涨幅最高超1000元。涨价主因是全球存储芯片短缺导致成本增加，预计未来3至4季将持续面临显著价格上升风险。利多：OEM厂商明确将存储芯片成本上涨传导至终端售价，证实上游短缺压力正在向下游扩散并具持续性。

TrendForce预计Q1 NAND闪存价格将环比暴涨85-90%。主要增长动力来自北美云服务提供商大规模部署AI服务器带来的企业级SSD需求。利多：价格涨幅明确，需求端驱动强劲，对NAND现货交易构成直接看涨信号。

南亚科技证实一季度DRAM价格逐月上涨，二季度报价将大幅跳升，供应紧张态势预计持续至2028年下半年。三星、SK海力士和美光一季度DRAM合约价涨幅超100%，二季度合约价涨幅预计达40%。利多：主要供应商因持续结构性短缺推动季度乃至月度议价，导致合约价格连续大幅上涨。

AI服务器需求正推高钽电容价格。该需求增长源于AI服务器硬件对高性能被动元件的消耗。利多：特定应用需求激增直接导致关键组件价格上涨。

全球NAND闪存市场4Q25营收环比增长23.8%至211.7亿美元，主要由北美云服务商的AI服务器部署及HDD短缺推动。TrendForce预计，在供应持续紧张和AI需求支撑下，1Q26 NAND闪存合约价将环比暴涨85-90%。利多：明确的、大规模的价格上涨预期，直接影响采购成本和库存策略。

前五大NAND闪存供应商四季度营收环比激增23.8%至211.7亿美元，主因北美云服务商AI服务器部署带动企业级SSD需求爆发，同时HDD短缺促使订单转向NAND。供应失衡加剧短缺并推高价格。利多：需求激增与供应紧张直接且显著推升价格。