通威协鑫设硅料底价4.3万元/吨
通威股份与协鑫科技等头部企业拟限制硅料产能并设定价格底线,硅料含税价不低于4.3万元/吨。行业面临产能过剩压力,头部企业通过会议达成共识,建立相互监督机制以遏制恶性竞争。
此举旨在通过供给侧干预支撑价格,预计将缓解硅料价格下行压力。
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通威股份与协鑫科技等头部企业拟限制硅料产能并设定价格底线,硅料含税价不低于4.3万元/吨。行业面临产能过剩压力,头部企业通过会议达成共识,建立相互监督机制以遏制恶性竞争。
此举旨在通过供给侧干预支撑价格,预计将缓解硅料价格下行压力。
CanSemi 在 ChiNext 首日(10月13日)以 IPO 价格 12.01 元人民币每股发行,开盘股价涨至 45 元人民币,涨幅 274.69%,募资约 75 亿元人民币。
10月12日消息,南亚科技公布2026年第3季度合并财务报告。该季度DRAM ASP(平均销售价格)环比增长超60%,出货容量则有小幅下降。公司实现营业收入1,336.49亿新台币(约280.53亿元人民币),环比增长61.9%、同比增长611.7%;企业毛利率达85.7%,单季提升6.2个百分点;营业利润率80.0%,提升6.3个百分点;净利率65.6%,提升4.8个百分点。AI基础设施已占整体营收20%以上,未来扩建皆以客户长期合约的AI专案为主要目标。新晶圆厂计划2027Q1装机,2028年底月投片量3万片、2030年底月投片量5万片;新后端设施将在2028年内导入TSV、晶圆堆叠等3DIC技术;第3代10nm级工艺预计2027Q1启动送样,后续工艺均按计划推进。
2027年12英寸晶圆新LTA价格预计上涨15-25%(外延片)至40%以上(抛光片),部分二线客户涨幅或超50%。随着疫情期合同到期及原材料、电力成本飙升,行业进入新一轮涨价周期,且现货价有望在Q4超越现有LTA水平。
晶圆供应商,如环球晶圆预计2027年ASP同比上涨32.6%至122美元,AI算力需求是核心驱动力。
机构预测全球硅晶圆价格将在2027年上涨40%,受AI服务器需求激增及长期供货协议到期驱动。特种硅晶圆产能被HBM等高需求芯片快速吞噬,导致供需失衡。
上游硅片供应商,预计将引发晶圆代工厂及芯片设计商的成本传导压力。
TrendForce报告显示,受中国供应商产能释放及消费端需求疲软影响,512Gb TLC晶圆价格本周下跌1.00%至19.883美元。尽管部分卖家放宽报价,但买方对消费市场前景持保守态度,观望情绪浓厚。
现货市场交易量清淡,价格上行动力不足。
Kurnal Insights数据显示,1b代DRAM每平方毫米价值达0.654美元,超过台积电N2工艺晶圆价格。这一现象源于AI需求推动DDR5 eTT现货价格飙升至约1.55美元/Gb。
供需紧张格局下,存储芯片价格仍有上行空间。
三星存储报价涨超30%,硅片涨价周期或持续至2027年,直接驱动A股半导体板块放量上涨。光通信与PCB产业链因涨价潮及算力需求上修形成共振,板块呈现涨停潮格局。
存储与硅片涨价逻辑确立,光模块及PCB方向业绩预期上修。
Goodram PX700 2TB SSD定价613美元,性能强劲但价格存疑。该款PCIe 4.0固态硬盘采用Maxio MAP1602控制器和232层NAND,具备高能效和单面设计优势。
评测指出当前定价偏高,性价比不足。
SMIC营收创纪录达30.1亿美元,第三季度上调晶圆价格,利用率高达93.7%。受美国出口管制限制,中国AI数据中心需求转向SMIC,且逻辑IC、BCD电源管理及光收发组件需求激增。
供需紧张推升价格,公司从降价转向“合理定价”策略。
TrendForce预测英伟达RTX 50系列显卡在韩国8月起涨价最高30%,RTX 5090自7月中旬已涨150万韩元。涨价主因是台积电4nm晶圆及GDDR7显存成本上升。
成本推升将直接传导至终端售价,利好上游供应链。
三星990 EVO Plus 2TB SSD价格一年内暴涨221.5%,现价363.49美元。受AI芯片危机影响,DIY市场SSD供应短缺导致价格普遍飙升。
SSD现货价格持续走高,供需失衡加剧。
台积电计划自2027年起将2nm代工价格上调最高10%,同时加速扩产。三星凭借与博通的合作及特斯拉、Anthropic的订单,在2nm和HBM4领域抢占先机。
台积电营收预期,但产能扩张可能缓解供应紧张。
长鑫64GB服务器级DDR5内存模块售价已超越三星,单价约1240美元。公司正加速产能扩张至月产60万片晶圆,并测试下一代键合技术。
价格溢价显示需求强劲,产能提升将巩固其市场地位。
台积电宣布涨价,英特尔回收业务收入增31%,碳化硅工厂倒闭。行业动态显示代工产能紧张与需求强劲并存。
涨价与减产将推高晶圆代工及功率器件价格。
DRAM现货价周涨3.27%,DDR4 1Gx8 3200MT/s均价升至41.1美元,受品牌需求支撑但交易清淡。NAND Flash因消费需求疲软,512Gb TLC晶圆周跌1.28%至18.931美元。
DRAM,利空NAND。
ASML计划上调现有Low-NA EUV光刻机售价,TSMC面临数亿美元额外成本。随着光刻机生产效率提升,ASML基于价值定价策略逐步涨价,且Q2营收创纪录。
ASML股价,利空TSMC资本开支。
ASML计划将Low-NA EUV工具定价从生产力模式转为价值模式,预计2028年底后交付的设备将涨价。随着公司2027年产能售罄及2028年订单已满,ASML希望通过此举捕获工具的全部价值。
ASML股价及设备价格,但TSMC等大客户强烈反对。
PSMC Q2营收环比增27%至172.9亿新台币,DRAM代工价格7月上调45%。受益于AI算力需求激增及存储价格飙升,公司毛利率扩张至28%。
硅电容获Intel认证,2027年12吋产能目标破1万片,且与美光合作HBM及先进制程量产在即。
三星电子预计Q2利润同比暴涨18倍至580亿美元,受DRAM和NAND价格周环比上涨40%和50%驱动。
存储现货价格。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
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| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |