英伟达RTX 50显卡涨30%
TrendForce预测英伟达RTX 50系列显卡在韩国8月起涨价最高30%，RTX 5090自7月中旬已涨150万韩元。涨价主因是台积电4nm晶圆及GDDR7显存成本上升。
利多
成本推升将直接传导至终端售价，利好上游供应链。
- Related manufacturers
- NVIDIA, TSMC
- Impact score
- 98 / 100, high impact
TrendForce预测英伟达RTX 50系列显卡在韩国8月起涨价最高30%，RTX 5090自7月中旬已涨150万韩元。涨价主因是台积电4nm晶圆及GDDR7显存成本上升。
成本推升将直接传导至终端售价，利好上游供应链。
三星计划将60-70%产能锁定在长期协议下，预计2026年H2服务器DDR5出货量中LTA占比将超30%。受多年度LTA及价格底板机制影响，TrendForce预测服务器DDR5合约价Q3将上涨13-18%。
锁定供应与价格底板将加剧现货市场短缺并支撑价格持续上涨。
Rapidus计划2nm晶圆报价3万至3.5万日元（约1.85万至2.15万美元），低于台积电约3万美元及三星约2万美元。面对台积电与三星因需求旺盛而上调5%-15%售价，Rapidus采取激进定价策略以抢占市场。
（利空台积电/三星长期溢价能力，利好Rapidus市场地位）。
4月全球半导体销售额达1105亿美元，同比增长93.9%。SIA报告显示，2026年全球销售额预计增长90%至1.5万亿美元。
需求强劲推动价格上行。
三星DS部门Q1利润率高达65.7%，DRAM和NAND价格季度涨幅近90%。SK海力士利润率更高达72%，但三星凭借存储业务主导地位贡献了93.8%的总利润。
存储芯片价格暴涨推动三星创纪录盈利，挤压非存储业务利润空间。
联电已通知客户计划在下半年提价，此前台积电宣布今年起连续四年涨价。台积电预计其先进制程（3nm、4nm、5nm）价格将上涨3-10%。
对晶圆代工服务构成直接涨价压力，成本可能传导至下游芯片。
TrendForce报告显示，自2026年初以来，三星已将用于HBM4的4nm基础裸片价格上调40%至50%。此次涨价由HBM4出货量快速上升及4nm产线接近满负荷运转驱动。
针对AI内存关键部件的直接、大幅提价。
三星基于4nm工艺的HBM4逻辑芯片价格自2026年初以来据报已上涨40-50%。此次涨价由AI需求激增及HBM出货量上升驱动。
核心AI组件价格直接大幅上涨，表明供应持续紧张，将对相关存储芯片市场形成上行压力。
三星电子自2026年初起将HBM4逻辑芯片价格上调40-50%，其4nm产线已满载。涨价由AI需求激增驱动，台积电亦宣布2026年对5/4nm及以下节点全面提价。
两大晶圆厂对先进制程的直接大幅提价，确认了供应紧张和强劲的定价权，相关芯片采购成本将显著上升。
台积电与三星代工计划上调5/4nm及以下节点价格，行业收入预计增长24.8%。AI芯片需求推动先进工艺产能利用率满载，订单可见性延伸至2027年。
涨价与供应限制将推高代工价格。
集邦报告台积电2026年5/4纳米代工价涨个位数百分比，订单能见度至2027年。受先进工艺供不应求影响，业界预计2026年起连续四年涨价。
代工价格持续上行，供应链议价能力增强。
台积电与三星电子已对5/4nm先进制程发布涨价通知。受益于AI芯片需求激增及产能满载，台积电3nm/2nm节点亦同步调价，三星亦因订单增加计划于2025年Q4涨价。
确认先进制程代工价格持续上行，供应链议价能力增强。
You've reached the end
Whose chips are really inside the hottest new products? We open them up and show you, one part at a time.
All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |