英伟达定制HBM计划促成罕见合作 三星与台积电联手开发3纳米基底芯片
英伟达推动NVHBM标准化计划,要求三星、台积电、美光和SK海力士统一采用台积电3纳米工艺生产基底芯片,核心存储芯片采用第六代DRAM工艺。三星首次接受放弃HBM完全自主的“交钥匙”模式。NVHBM预计带宽增加30%,功耗降低15%。三星代工亏损从2025年6.74万亿韩元降至2026年3.92万亿韩元,降幅41%。
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- 三星电子, 台积电, 美光, SK海力士
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