Elektrobit与Microchip合作简化并加速AUTOSAR汽车软件开发
Elektrobit与Microchip合作，将Microchip的汽车硬件平台与Elektrobit的AUTOSAR软件、工具和自动化能力相结合，以简化并加速汽车制造商和供应商的AUTOSAR-based软件开发，帮助客户更快建立生产就绪的软件基础。
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Elektrobit与Microchip合作，将Microchip的汽车硬件平台与Elektrobit的AUTOSAR软件、工具和自动化能力相结合，以简化并加速汽车制造商和供应商的AUTOSAR-based软件开发，帮助客户更快建立生产就绪的软件基础。
onsemi与Sungrow宣布将onsemi的EliteSiC混合功率模块技术集成到Sungrow的PowerTitan 3.0储能平台，用于电网级储能系统的高功率DC-AC转换。据onsemi称，与上一代平台相比，新架构将逆变器级效率提升0.4个百分点，支持额定功率最高450 kW的功率转换单元，峰值效率超过99.3%。onsemi的分析显示，在100 MW电池储能装置中，0.4%的效率提升每年可节省超过475 MWh电量（与上一代模块相比）。该SiC混合技术结合碳化硅与硅功率器件，采用三级逆变器架构，提供更高功率密度和更好热性能。双方曾在平台开发、系统优化、工程验证和资格认证方面合作，此次采用建立在两家公司既有的战略关系之上。
Gaonchips于10月15日宣布加入Arm Total Design for Physical AI，成为首家参与该倡议的韩国设计解决方案提供商，作为技术合作伙伴支持Arm-based半导体在物理AI应用中的实施，并将通过硅到系统的合作提供从芯片设计到系统实施的全过程支持。原文未说明原因。
2026年10月16日，西班牙深技术初创公司Qilimanjaro Quantum Tech宣布完成其Series A融资首轮闭环，金额约为2000万欧元（实际为1960万欧元），由Indra Group通过IndraMind领投1000万欧元，西班牙技术转型协会（SETT）再投资960万欧元。公司表示新资金将用于扩大和工业化其量子计算机，推进新一代芯片研发，提升制造和部署能力，并计划在2026年第四季度完成剩余融资，引入Avançsa及其他现有投资者。
三星在印度的半导体研发中心三星半导体印度研究院(SSIR)与印度科学理工学院(IISc)于2026年10月15日在IISc位于Bengaluru的校园内共同为量子研究实验室举行启用仪式，该实验室旨在建设印度在量子技术与先进半导体领域的研究能力。
据韩国媒体ZDNet 10月15日报道（IT之家10月16日消息），因Galaxy Z Fold8市场需求超出预期，三星此前要求独家代工方联电追加生产DDI，但联电的22纳米DDI产线已满负荷运转，无法承接紧急订单，导致三星削减Z Fold8部分零部件的9月生产计划并顺延至10月，拖累出货节奏与营收表现。为降低对单一供应商的依赖并避免再度出现生产瓶颈，三星正考虑为Galaxy手机OLED DDI引入第二家代工厂，格芯成为主要评估对象，消息称三星正在考察格芯位于新加坡和德国的22纳米、28纳米生产设施。若合作落地，格芯代工的DDI芯片最快可能在2027年底进入Galaxy供应链，并率先用于搭载OLED屏幕的中低端Galaxy A系列机型。三星尚未正式公布相关供应安排，格芯能否获得订单仍取决于产能、良率、成本及认证测试等因素。
据韩国ZDNet援引业内人士，三星电子正考虑为OLED版Galaxy手机的显示驱动芯片（DDI）增加第二家代工供应商，以降低对台湾联电（UMC）的依赖，并可能从2027年底起在部分中低端Galaxy A系列手机中采用格芯（GF）生产的DDI。目前相关芯片由三星系统LSI部门设计、全部交由UMC以22纳米制程代工；三星据称正评估让GF使用22纳米或28纳米制程代工，候选产能涉及新加坡和德国工厂，但具体设计导入、验证及量产安排尚未公布，三星和GF也未正式确认合作，2027年底的时间点仅为业内预计。报道称此调整与存储器需求旺盛带动成熟制程产能吃紧有关：三星7月推出Galaxy Z Fold8后市场需求高于预期，曾要求UMC加急生产，但UMC的22纳米产线已接近满载，三星因此将原定9月Fold8零部件生产计划中的约10%顺延至10月，并据称动用了原本留给下一代产品开发的部分DDI库存。此次调整针对OLED Galaxy手机DDI的晶圆制造，并不意味着三星将把自家芯片设计业务或全部手机处理器转交给GF。
KeyBanc近期亚洲调研的相关转述消息称，英特尔代工服务已取得多家科技公司的项目进展，涉及博通、Google、苹果、AMD、微软和英伟达，项目包括为博通制造网络交换芯片、为Google和微软生产服务器CPU、为苹果制造A系列与M系列处理器、为AMD生产客户端处理器计算模块，以及为英伟达Rubin游戏显卡代工芯片；亚马逊AWS、Anthropic和SpaceX/Tesla旗下Terafab据称仍在评估英特尔14A与18A-P工艺。报道明确指出，客户名单及合同状态尚未得到英特尔或相关公司公开确认，且未披露签约范围、具体制程、投片时间或采购数量，不宜视为已确认的量产订单。KeyBanc估算：苹果项目可能涉及约60万片晶圆，潜在收入150亿至200亿美元；Anthropic定制ASIC项目可能达500万至1000万颗，若计入先进封装，潜在收入或为400亿至800亿美元；英特尔EMIB-T先进封装或为Google TPU项目带来约120亿至150亿美元收入，EMIB-M也可能参与亚马逊Trainium 3及微软Cobalt 400相关项目，均为分析师估算而非已披露合同金额或实际营收。背景方面，英特尔称18A工艺已进入自有产品量产阶段，18A-P于2026年上半年进入风险试产，且在相同功耗下性能较18A提高约9%或在相同性能下功耗降低约18%；14A风险试产目标为2027年下半年，内部产品计划2028年进入高量产爬坡，相较18A在相同功耗下可提升15%至20%性能或在相同性能下降低25%至35%功耗、密度最高提升约30%，这些为厂商制程目标数据，未经第三方客户产品验证。原文未说明原因为该消息属未证实的分析师转述。
Navitas Semiconductor宣布与NVIDIA合作开发一款24 kW、800 VDC转12 VDC的电源传输板(PDB),面向下一代AI数据中心基础设施，基于Navitas的GaNFast技术，支持NVIDIA MGX生态系统，可将电源直接传送给高性能计算处理器(xPU)。该方案计划在2026年OCP全球峰会的NVIDIA AI Factory MGX Wall合作伙伴展示区展出。此板为Navitas此前与NVIDIA合作发布的20 kW、800 V转6 V电源板的后续产品，两者均支持高压直流配电过渡及GaN和SiC技术在AI基础设施中的应用。新板设计目标为最高24 kW输出、满载效率97%、功率密度超过2,000 W/in³,采用NVIDIA 400 mm × 60 mm外形规格，可集成在计算主板靠近xPU处；采用单级转换架构，直接将800 VDC转换为12 VDC,省去常规50 V转12 V中间总线转换器(IBC)级，减少转换步骤、功率损耗和元件数量；12 V输出向VRM供电。初级侧功率级使用16颗NV6034 GaNFast FET(650 V耐压、18 mΩ导通电阻)，采用堆叠半桥拓扑和8 mm × 8 mm双冷却DFN封装。
三星风投(Samsung Ventures)与应用材料旗下风投部门Applied Ventures投资了总部位于美国的Flexcompute,支持其旨在在制造前预测半导体封装变形的仿真技术。原文未说明投资金额及轮次。投资背景为：日益复杂的AI芯片在管理热应力、翘曲和制造良率方面带来新挑战。该事件为投资发生的事实，不涉及产能或价格变化。
10月10日消息，宁德时代宣布与赛力斯集团在重庆签署长期战略合作协议。据介绍，问界品牌自创立以来全系车型均搭载宁德时代电池，截至目前累计交付已突破120万台；以此为新起点，问界将继续长期全系搭载宁德时代电池。双方将围绕三大核心领域深化协同：其一，扩建"厂中厂"产能，加速赛力斯超级工厂"厂中厂"二期建设，二期年规划产能10-12GWh，建成后一、二期总年产能将超20GWh（属规划，尚需建成）；其二，构建超充补能生态，围绕超充网络与电池服务展开合作；其三，加速全球化布局，联合开拓欧洲、中东及中亚等海外市场。文中还提到，去年6月宁德时代在赛力斯超级工厂的两条CTP 2.0高端电池包产线正式投产，这是宁德时代在重庆布局的首个基地，并首次采用"厂中厂"合作模式，为问界系列车型本地化生产供应动力电池系统。
据Chosun.biz报道（发布于2026年10月8日），AMD首席执行官苏姿丰正访问韩国，为AI加速器争取额外的HBM存储器供应，并表示将就'更广泛的合作伙伴关系'与三星高管会谈；三星方面据报道'希望将其与AMD的存储器供应关系转化为'逻辑芯片的代工订单。此举发生在两家公司于今年3月签署一份为期三年、不具约束力的谅解备忘录（MOU）不到七个月之后，该MOU涵盖四个领域：包括HBM4和先进DDR5在内的下一代存储器产品供应、面向AI和高性能计算系统的存储器方案的联合开发与优化、为未来AMD平台探索代工制造机会，以及先进封装和相关半导体技术的协同优化。三星已成为AMD Instinct MI400系列加速器HBM4的主要供应商；但将合作扩展至存储器供应之外相当复杂，因为需投入大量精力针对三星代工工艺设计芯片，并存在在新代工厂进行产品量产的风险；AMD在其最近年度报告中写道，若将部分产品生产转移到新制造商，可能出现产品推出延迟、良率降低或性能变差。AMD已开始向相关方出货搭载432GB HBM4的Instinct MI455加速器及机架级Helios AI系统；苏姿丰称'三星电子和SK hynix是AMD的关键供应链伙伴'，'AI需求极高'，因此正与伙伴规划长期供应链，'与伙伴提前规划三到五年很重要'。文章最后称AMD正在谈判争取更多存储器供应，是否会冒险在利基可编程芯片之外采用三星代工'只有时间会证明'。
Solidigm拟募资150亿美元，目标估值高达1500亿美元。受AI基础设施对高容量存储需求驱动，且计划在美国建设NAND工厂。
AI存储板块估值重估及未来产能扩张计划。
川崎机器人与Dexterity宣布合作，将RL030N 8自由度机器人臂整合至Dexterity的Mech硬件及Physical AI软件栈中。此次合作旨在利用川崎的工业机器人臂技术与Dexterity的物理AI软件，解决高吞吐量仓库物流中的自动化难题。
该合作主要聚焦于机器人硬件与软件的整合，短期内对半导体供应链供需及价格无直接影响。
AMD收购AI芯片初创公司Taalas，其HC1芯片在TSMC 6nm工艺下实现每秒16,960 tokens的推理速度，性能较Nvidia GPU提升48倍。该技术通过将模型权重直接蚀刻进硅片，旨在提升AI推理效率并降低功耗。
此举强化了AMD在AI硬件领域的竞争力，可能改变未来AI加速器市场的供需格局。
英特尔计划向初创公司Rosaic Labs授权x86 Atom处理器RTL代码。此举打破了英特尔历史上不对外授权x86技术的惯例，旨在应对Arm架构在定制AI芯片市场的份额侵蚀。
利好x86生态，Intel或借此巩固在定制AI芯片领域的地位。
韩国总统访硅谷宣布'旧金山AI宣言'及与Nvidia等美企合作。此举旨在推动国际AI合作，强化半导体产业链协同。
政策议程或引发AI芯片需求预期，但短期无实质供需数据。
英特尔与Fortinet达成合作，将代工其第六代安全处理器SP6，这是英特尔4工艺的首个外部代工客户。此前英特尔曾计划将英特尔3作为首个对外代工节点，此次合作证实了IFS在先进制程上的客户拓展进展。
提升英特尔代工产能利用率预期。
英特尔与Fortinet合作在Intel 4节点代工SP6防火墙ASIC，Fortinet成为英特尔4nm首名外部客户。该芯片采用Chiplet设计，区别于现有单芯片SP5，预计2026年Q3-Q4量产。
标志着英特尔4nm节点正式获得外部订单，验证了其先进封装与设计能力，利好英特尔代工业务。
Fortinet将使用Intel代工生产第六代安全处理器SP6。该芯片采用Intel 4工艺节点及先进封装技术，用于硬件防火墙的加密运算。
Intel Foundry产能利用率，验证其异构集成设计能力。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |