技术文章：突破AI与HPC SoC的内存瓶颈，针对RibbonFET与PowerVia优化嵌入式内存IP
一篇发布于Semiconductor Engineering的技术文章，主题为突破AI与HPC（高性能计算）SoC中的内存瓶颈，内容涉及针对RibbonFET与PowerVia工艺优化嵌入式内存IP。文章为技术背景内容，未报告任何价格变动、产能变化、政策事件或供需数据。
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一篇发布于Semiconductor Engineering的技术文章，主题为突破AI与HPC（高性能计算）SoC中的内存瓶颈，内容涉及针对RibbonFET与PowerVia工艺优化嵌入式内存IP。文章为技术背景内容，未报告任何价格变动、产能变化、政策事件或供需数据。
Intel Foundry发布了两篇关于芯片电力传输（power delivery）的文章。第一篇文章引用Gartner预测：全球数据中心电力需求将从2025年的104吉瓦升至2026年的132吉瓦，到2030年达到290吉瓦；这些为预测数据。该文还称AI优化服务器预计将占2026年消费量的31%，并于2027年超过传统服务器。文章说明传统正面供电将电力与信号路由共用金属层，随着设计复杂度提升导致电阻与电感问题；Intel表示其采用Intel 18A的RibbonFET全环绕栅极（GAA）晶体管架构通过将电力布线移至芯片背面来分离这些功能，可降低电阻、电感和IR压降。文章还介绍了Omni MIM片上电容器、基板内嵌电容器和嵌入式深沟槽电容器等本地储能方案，以及全集成稳压器、CoaxMIL磁性电感器、C2VR电容稳压器和专用稳压器chiplet等方案。第二篇文章将问题延伸至chiplet和堆叠裸片，指出先进封装可能造成电气瓶颈，并主张将电压转换移近负载。
英特尔董事会任命半导体工程师克雷格·H·巴雷特为新任独立主席，接替财务背景的弗兰克·耶里。此次人事变动旨在强化董事会与CEO陆博文对英特尔代工业务研发与制造的关注。
/利空/关注：董事会治理变动对芯片供应、价格及产能无直接即时影响。
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