GMS发布MOSA兼容Thunderbolt™启用的Expansion™模块
General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
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General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
Infineon 在 SEDEX 2026（于 2026 年 10 月 16 日在韩国首尔 COEX 举行）上推出其面向人形机器人手部的半导体解决方案，重点是微控制器（MCU）、功率半导体和触觉传感器，并展示了配备 MCU、氮化镓（GaN）功率半导体及功率/位置传感器的驱动板，可驱动最高 1.2 千瓦的电机，尺寸约 66 毫米。
据SPIE Digital Library的技术分析，常规极紫外（EUV）光刻使用13.5纳米波长、通过反射光学系统配合定制光掩模，虽能以高产能打印极小特征，但每个新设计都需要昂贵的掩模组。无掩模EUV光刻提出不将图形存储在物理掩模上，而是使用可编程阵列或其他快速可寻址光学元件，将数字图形直接写入晶圆，从而避开电子束光刻串行逐点写入的速度瓶颈，缩短设计迭代周期并降低小批量生产的固定成本。文章指出该技术并非对EUV扫描仪或电子束工具的简单替代：EUV辐射被大多数材料强吸收，系统需在真空和专用反射光学下运行；可编程图形发生器需在EUV曝光下保持纳米级定位精度、控制热量与污染并避免缺陷；光刻胶在极小尺寸下的随机变异以及海量图形文件的实时处理也是挑战。首批成功应用可能是有选择性的，如快速原型、小批量先进器件、研究、掩模修复或特定关键层，而非全面取代大规模量产光刻。此内容为技术背景分析，不涉及具体厂商、产量、价格或订单数据。
快科技10月16日消息，《时代》杂志当天正式公布2026年度最佳发明榜单，苹果史上首款折叠屏手机iPhone Duo成功入选。据《时代》梳理，入选依托四项工程突破：基于自研芯片的全新显示引擎可同时驱动内屏与外屏；为折叠形态重新设计的iOS交互，控件移至更靠近拇指的右侧；内屏采用定制聚合物纳米纹理表层以减少眩光并淡化折痕；机身框架与铰链护壳采用5级钛金属。《时代》特别提到，铰链由100多个微型精密组件与碳纤维支撑板构成，可在展开时为屏幕中央提供平整支撑，早期体验者几乎察觉不到明显折痕。iPhone Duo采用内折设计，展开为7.6英寸超视网膜XDR内屏，显示面积较iPhone 18 Pro Max增大50%，闭合为5.4英寸外屏，面积约相当于iPhone 18 Pro的90%，均支持ProMotion自适应刷新率、全天候显示与最高3000尼特户外峰值亮度；身份验证为侧边按钮内整合的触控ID，内屏下方隐藏FaceTime摄像头。文中还提到，特努斯早在2011年便与其他五名苹果工程师提交过折叠电子设备专利申请，苹果此后选择观望先行厂商方案直到材料与铰链方案成熟。原文未说明该入选事件对供应链或价格的影响。
pSemi高级产品营销经理Jason Ngai在Power Corner访谈中介绍ARC1C0608 LED背光驱动IC，该器件适用于单节（1S）锂离子笔记本，需将2.7至5.5 V输入升压至最高30 V的LCD背光电压。Ngai称现代SoC待机效率提升后，显示屏成为主要功耗来源，占总系统功耗最高约70%，且显示屏无法待机，只能调暗或关闭。他指出LED背光驱动为升压变换器，输入电压越低效率越差：典型1S LED驱动器效率约为中80至高80百分比区间，但在电池电压范围（满电约4.35 V，接近截止约3.2–3.6 V）内会降至中60至中70百分比。ARC1C0608采用升压加电荷泵的专有两级架构，可实现最高95%峰值效率，在大部分工作范围内效率为高80至90以上百分比；以3.8 V输入、22–24 V输出为例，电荷泵以3倍倍压工作，升压级只需升至约8 V。该架构降低对电感的依赖，可配合1.2 mm高（甚至0.6 mm高，效率仅降约1%）的芯片电感实现薄型方案。除笔记本外，该IC也适用于平板、VR头显、无人机车灯及自行车显示等单电池显示应用。
Microchip Technology推出辐照耐受型氮化镓(GaN)点-of-load(POL)转换器POL-05-20S-T,面向航天处理系统。该器件可提供最高20A连续输出电流，采用紧凑表贴封装，尺寸为1.51 × 1.51 × 0.45英寸，重量25 g,输入电压范围4.75 V至13.2 V,输出可在0.7 V至5 V之间调节，工作温度范围为满载时−55°C至+100°C。辐照耐受规格方面，Microchip规定了总电离剂量(TID)高达50 krad暴露前后的电气参数，并在线性能量转移(LET)高达43 MeV·cm²/mg水平下对单粒子效应(SEE)进行了表征。该产品面向FPGA、微控制器、ASIC等处理密集型器件的核芯电压轨等大电流、快速瞬变负载，现已有量产数量的供货。
Renesas Electronics推出其首个100-V增强型(E-mode)分立GaN功率晶体管家族，型号包括RTP100E005G1FL、RTP100E2P6G1FL、RTP100E1P8G1FL-DSC和RTP100E1P2G1FL-DSC。公司称这些低压GaN FET实现业界领先的硬开关和软开关品质因数(FOM)，硬开关FOM较同类GaN器件最多低35%，软开关FOM最多低63%。器件采用FCLGA封装，保持与硅器件兼容的占位面积，便于从硅MOSFET布局迁移而无需大幅改动PCB。RTP100E005G1FL和RTP100E2P6G1FL典型导通电阻分别为5 mΩ和2.6 mΩ；双面冷却的RTP100E1P8G1FL-DSC和RTP100E1P2G1FL-DSC导通电阻分别为1.8 mΩ和1.2 mΩ。根据应用需求和功率转换架构，这些晶体管可实现最多40–70%更低的开关损耗和系统级最多两倍的功率密度。该100-V家族面向AI数据中心、人形机器人和工厂自动化等高功率密度应用，可用于同步整流、多相降压转换和工业电机驱动等场景。新型低压GaN功率晶体管现已供货，并提供相应的评估板。
SK hynix于2026年10月14日在Newsroom系列文章[Inside the Research]第2部分介绍其发表于2025 IEEE国际电子器件会议(IEDM)的研究论文《Co-Optimizing Cell, Non-Cell, and Page Schemes for Energy Efficient Analog Computing in 3D FeNAND》,作者为Won-Tae Koo与Jihun Kim。研究提出基于3D FeNAND的模拟存内计算(A-CiM)架构,通过对单元(cell)、非单元(互连/字线)和页(page)三类方案进行协同优化,在相同芯片面积约束下,相比传统3D阵列实现约10至20倍的吞吐量提升和约4,000至5,000倍的能效提升;文中亦说明这些数字反映了3D FeNAND相较被广泛研究的2D非易失性存储阵列的高密度优势。各项优化包括:字线采用低电阻金属使吞吐量最高提升16%、能效最高提升3%;引入空气间隙使字线间寄生电容降低约60%,吞吐量提升1.2倍、能效提升2倍;字线电阻与电容联合优化后吞吐量最高提升1.4倍、能效最高提升2.2倍;页内流水线(IPP)使能效翻倍、吞吐量提升9倍;将16KB页拆分为4个4KB子页使能效提升1.2倍、吞吐量提升1.7倍。研究团队还在300mm晶圆规模上演示了低电流区每单元四电平操作及稳定数据保持。文章称该研究展示NAND从存储介质向计算介质扩展的潜力,未涉及价格、出货、产能或市场状况。
文章报道理想、小米等车企正减少对宁德时代电池的依赖：理想宣布全自研电池战略，代工厂为欣旺达和中创新航；小米主导龙甲电池设计并交由欣旺达和中创新航生产；零跑、小鹏、吉利甚至老客户宝马也开始转向二三线电池品牌，但文中明确'车企正在抛弃宁德时代'并不准确，只是宁德时代在新车上的出场率在降低。原文给出的原因有且仅有一个，即宁德时代的电池价格过高：宁德时代目前价格约0.585元/Wh，主流二线品牌报价为0.52元/Wh甚至更低；假设一台车电池60度、每年卖出20万台，车企切换供应商可省下7.8亿元成本。财务数据显示，从2020年到现在宁德时代动力电池总收入达1.414万亿元人民币，今年上半年达到1921.2亿元；去年动力电池业务利润754亿元，毛利率23.84%，而年营收超8000亿的比亚迪利润仅326亿元。质量方面，受访工程师称技术差距小但生产工艺和质量管控差距难以解决：宁德时代电池包整包失效率为1 PPM，其他厂家大多在35 PPM左右；电芯层面宁德已达1 PPB，友商大多在100~1000 PPB（0.1~1 PPM）之间。此外，据多家媒体报道，为解决锂电池行业结构性产能过剩，从今年五月份开始各地已暂缓电池企业新建动力电池和储能电池项目，审批权限正从地方转移到国家层面，这加大了二三线品牌追赶的难度。文章还提到车企的态度等因素已使宁德时代股价出现较大幅度下跌，并质疑其超过四成的市占率能维持多久。
韩国主要半导体材料、零部件及设备供应商将参加定于10月13日至15日在美国旧金山Moscone Center举行的SEMICON West 2026。据这些公司表示，美国半导体制造设施投资的不断增长正使韩国企业对SEMICON West的兴趣上升。材料供应商方面，ENF Technology将展示蚀刻液、清洗液、剥离液和稀释剂等工艺材料，该公司自2021年起从其得克萨斯州Kyle工厂向三星电子奥斯汀工厂供应材料，并于今年早些时候完成剥离液和稀释剂产能扩建，上半年开始向三星电子Taylor工厂供货；Dongjin Semichem将展示光刻胶、稀释剂和CMP抛光液，其位于得州的稀释剂和高纯硫酸生产设施目标今年年底前量产，预计将支持三星电子Taylor工厂及当地其他业务。设备商方面，Hanmi Semiconductor将展出面向HBM和2.5D封装的TC热压邦定机，Shindo Eng Lab将介绍玻璃陶瓷结合的TGCV基板技术；检测计量厂商Intekplus将展示封装与基板的自动外观检测及3D量测技术，其近期获得一家日本基板厂商用于玻璃基板研发的检测设备订单，Koh Young Technology将展示先进封装工艺的3D测量检测方案；测试零部件供应商ISC与LEENO Industrial也将参展。气体输送与控制相关零部件厂商BMT、DK-Lok、ASFlow，以及设备零部件和晶圆传送材料厂商BOBU Hi-Tech、Glint Materials亦将参展。SEMI预计本届展会将有超过1,500个展位、吸引超过35,000名观众。
10月8日，亚马逊发布代号为Kittyhawk的新高端平板电脑产品线Alexa Tablet，放弃自有Fire OS改用谷歌Android系统并搭载Alexa+语音助手，定价230至550美元，远高于此前顶级Fire平板Fire HD 10的约180美元；最高端128GB型号售价550美元，与起价450美元的苹果iPad和起价550美元的三星Galaxy Tab系列直接竞争。产品线包括三款：Alexa Tablet 12 Pro（11.95英寸IPS LCD，2800×1840分辨率，3:2比例，280ppi，可选标准LCD或与康宁合作开发的Nanomatte防反射显示屏，显示屏供应商未公布，搭载联发科4纳米制程Dimensity 8400处理器）、Alexa Tablet 11（11英寸IPS LCD，2560×1600，16:10，276ppi）和Alexa Tablet 8（8.7英寸IPS LCD，1340×800，5:3，180ppi），后两者采用八核MT8189平板处理器；应用处理器由台湾联发科供应。Alexa+功能仅限Amazon Prime会员及Alexa+订阅用户使用。据IDC数据，今年第二季度苹果占全球平板市场34%，三星电子占17.5%，亚马逊份额从一年前的8%骤降至1.9%；全球平板出货量同比下降12%至3360万台。原文未说明原因（指发布事件本身的原因）；文中提到Fire OS因应用生态有限长期受开发者与消费者批评，以及亚马逊传统按成本或低于成本销售设备的策略导致硬件竞争力较弱。
KAIST与韩国初创公司TDS Innovation的研究人员参与的团队于10月7日在Nature发表论文《Spatially deterministic nucleation of 2D semiconductors by etching flux》，展示了一种控制二维半导体晶体生长起始位置的方法：EF-SCN（刻蚀通量介导的单中心成核）工艺利用氧化阻挡层释放的氧产生横向刻蚀通量，抑制图案化生长区内除几何中心外的所有成核。该工艺制得的MoS₂场效应晶体管报告了高于此前已报道的选择性生长MoS₂晶体管的载流子迁移率；在2厘米衬底的单独测试中，400个图案化位点中有397个形成单晶，良率99.3%，但这尚非商业化芯片生产的验证。论文共同作者Kibum Kang为TDS Innovation联合CEO，该公司开发二维半导体设备与材料。TDS的Jony Jung表示目标是让二维半导体在2030年前后实现商用，并称AI（包括物理AI和机器人）需求加速可能提前采用，但量产时间将取决于进一步验证；论文未说明该工艺何时可用于量产芯片。
Navitas Semiconductor与Microchip Technology已开发出面向AI数据中心机柜电源系统的800V DC转6V DC参考设计，基于开放计算项目(OCP) 800 V DC架构。该设计结合Navitas GaNFast™氮化镓功率器件与Microchip数字电源控制及硬件安全技术。主功率级采用16颗NV6034器件（额定650V、17 mΩ导通电阻），以堆叠半桥配置工作，GaN FET采用DFN 8×8 mm双面散热封装。控制部分使用Microchip dsPIC33AK256MPS306系列数字信号控制器（200 MHz 32位处理器、双精度浮点单元、78 ps高分辨率PWM、高达40 MSPS的12位ADC）。该平台目标为满载、1 MHz开关频率下峰值效率高达96%，功率密度为2,100 W/in³；架构将传统的800V转50V与50V转6V两级转换合并为单一转换器，实现比手机薄约20%的低矮外形，旨在与GPU板紧密集成。安全方面集成Microchip TA100 CryptoAuthentication™器件，dsPIC33AK平台还支持CNSA Suite 2.0后量子密码算法相关的加密功能。参考平台将包含评估硬件、软件和设计文档，并将于2026年10月12日至15日在加州圣何塞举行的Microchip OCP活动上展示。
Monolithic Power Systems (MPS) 应用工程师 Joan Mampel 撰写的技术文章，介绍了一种结合堆叠输出拓扑与加权反馈网络来改善多输出反激变换器交叉调整率的实用设计。该设计基于 MPX2002（集成650 V原边控制电路和150 V副边同步整流驱动，采用容性隔离替代光耦并支持准谐振工作），从85 V AC至265 V AC输入生成四路输出：主调整+5 V输出、堆叠+12 V输出、后调整+3.3 V输出（由MP2332H同步降压变换器从+12 V轨降压获得，开关频率约1.2 MHz，选用MPL-AL4020-2R2电感）以及低电流-12 V辅助输出（由变压器独立绕组经MP2015A LDO产生，LDO输入范围2.5 V至24 V）。文章给出的关键设计参数包括：选用62 µF/450 V输入母线电容（最小直流母线电压限定为85 V DC，最高环境温度90°C，最大输出功率25 W），+5 V输出原副边匝比N_PS1=12（最大占空比限制45%，实际最低输入电压下原边占空比41.62%），+12 V输出匝比N_PS2=8，-12 V输出匝比N_PS4=4，开关频率70 kHz，磁化电感479 µH，最大额定峰值电流1.32 A，最低线输入平均电流0.33 A，输入峰值电流1.99 A，加权反馈实现+5 V输出70%调整率和+12 V输出30%调整率。文章称实验结果评估了所实现的交叉调整率、输出电压精度和整体变换器性能，并验证该架构是多输出辅助电源的实用方案。此为设计技术背景内容，不涉及价格、产能、库存或政策事件，原文未说明原因一项不适用（无事件原因需说明）。
Intel Foundry发布了两篇关于芯片电力传输（power delivery）的文章。第一篇文章引用Gartner预测：全球数据中心电力需求将从2025年的104吉瓦升至2026年的132吉瓦，到2030年达到290吉瓦；这些为预测数据。该文还称AI优化服务器预计将占2026年消费量的31%，并于2027年超过传统服务器。文章说明传统正面供电将电力与信号路由共用金属层，随着设计复杂度提升导致电阻与电感问题；Intel表示其采用Intel 18A的RibbonFET全环绕栅极（GAA）晶体管架构通过将电力布线移至芯片背面来分离这些功能，可降低电阻、电感和IR压降。文章还介绍了Omni MIM片上电容器、基板内嵌电容器和嵌入式深沟槽电容器等本地储能方案，以及全集成稳压器、CoaxMIL磁性电感器、C2VR电容稳压器和专用稳压器chiplet等方案。第二篇文章将问题延伸至chiplet和堆叠裸片，指出先进封装可能造成电气瓶颈，并主张将电压转换移近负载。
Keysight Technologies(NYSE: KEYS)宣布推出Velocity 4900系列Layer 1自动化交换机，用于在网络测试实验室中通过软件控制实现物理连接自动化，服务对象包括支持AI、6G及下一代服务的网络与基础设施测试。该系列首批两款型号：Velocity 4902为高速Layer 1自动化交换机，支持100 Mbps至100 Gbps以太网速率，配备72个QSFP28端口，通过breakout支持288个连接；Velocity 4906为高密度Layer 1自动化交换机，配备288个SFP28端口，支持100 Mbps至25 Gbps以太网速率。两款交换机均提供超低延迟、完全透明的Layer 1交换矩阵，支持单模光纤、多模光纤、直连铜缆和有源光缆，并具备端口镜像诊断与一对多流量复制功能。据原文，该产品旨在解决测试实验室依赖手动布线和物理拓扑变更导致的设备利用率不足、测试缓慢等问题。Velocity 4902和4906已可立即下单，首批交付计划于2027年1月进行。
英特尔董事会任命半导体工程师克雷格·H·巴雷特为新任独立主席，接替财务背景的弗兰克·耶里。此次人事变动旨在强化董事会与CEO陆博文对英特尔代工业务研发与制造的关注。
/利空/关注：董事会治理变动对芯片供应、价格及产能无直接即时影响。
xAI正在建设全球首个吉瓦级数据中心Colossus 2，预计2025年第三季度其单集群算力容量将超越Meta和Anthropic，并已获得英伟达GPU供货配额。该项目是继孟菲斯超大规模集群后，对高端AI芯片和基础设施的又一次巨额资本投入。
头部AI实验室持续进行吉瓦级基建竞赛，为高端GPU及HBM等核心组件创造了确定性的增量需求。
Wolfspeed任命任职18年的董事会成员Thomas Werner为新任董事长。此次变动属于公司常规治理结构调整，未涉及产能、财务或产品路线图变更。
/利空/关注: 中性，单纯的董事会人事变动对碳化硅及氮化镓器件的供需和价格无直接影响。
Wolfspeed任命前英特尔高管Stacy Smith为董事会成员，1月23日生效。此举旨在为这家SiC/GaN材料和器件制造商的董事会增加财务与运营经验。
此项治理变动对元件供应、价格或交易动态无直接即时影响。
Whose chips are really inside the hottest new products? We open them up and show you, one part at a time.
All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |