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台积电、ASML着眼于12英寸光罩，以释放High-NA EUV光刻的全视场潜力

据标题信息，台积电与ASML正着眼于12英寸光罩，以释放High-NA EUV（高数值孔径极紫外）光刻的全视场潜力，此为意向/计划性质，未表明已实施。原文正文仅提供背景：先进半导体制造正朝向2nm及埃米时代节点（Å；1nm等于10Å）推进，使高数值孔径极紫外（High-NA EUV）光刻技术成为关注焦点。原文未提供数量、价格、时间表或实施状态等更多细节。