Littelfuse 推出 AK-FL 系列 FlatSuppressX™ 瞬态电压抑制（TVS）二极管，用于航空和 eVTOL 高压直流电源系统。该系列提供 6 kA、8 kA 和 10 kA 的 8/20 μs 波形涌流额定值，具有平坦的钳位电压特性，符合 MIL-STD-750 100% 筛选和 RTCA DO-160 环境资质要求，外壳为无卤、RoHS 合规、无铅轴向引线封装，每盒装 56 只。
本文为技术综述，介绍工程（合成）金刚石在数据中心功率电子中的应用背景：AFCOM报告显示平均机架密度已达每机架27 kW，热瓶颈成为性能扩展的主要限制因素，数据中心运营商正向800 V DC母线架构迁移。金刚石导热率约2,200-2,400 W/m·K（同位素富集样品可达3,300 W/m·K），带隙5.5 eV，理论击穿电场约5–10 MV/cm，实验室肖特基二极管已接近8 MV/cm。Coherent Corp. 推出可键合金刚石热管理方案，可与硅、碳化硅、氮化镓直接键合，在最高100 mm²的芯片尺寸上将界面热阻降低最多99%。2026年6月，Element Six（De Beers集团旗下）与东京精密部件厂商Orbray宣布实现3英寸晶圆级单晶金刚石的可复现工艺，4英寸衬底已在开发中；Element Six还在俄勒冈州Gresham的CVD工厂为量产准备2英寸热键合晶圆。Diamond Foundry于2025年在西班牙特鲁希略开设商业化生产工厂并逐步提升产量。日本Ookuma Diamond Device在福岛县大熊町建成其所称的全球首座金刚石半导体工厂，计划量产面向核退役等用途的金刚石功率器件。Power Diamond Systems在SEMICON Japan 2025上首次公开验证封装金刚石半导体性能，展示高压高温用途的金刚石功率MOSFET，希望与潜在客户合作并在2030年代实现商用。Diamond Quanta在多晶金刚石中实现超过555 cm²/V·s的电子迁移率。文章指出，金刚石目前在数据中心主要作为GaN和SiC开关之上的散热使能材料，而非直接替代器件。
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