GMS发布MOSA兼容Thunderbolt™启用的Expansion™模块
General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
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General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
瑞萨电子近日发布了基于Gen 4+技术的650-V、20-mΩ d-mode GaN FET，采用8×8 mm双面散热（DSC）PQFN封装，型号为TP65H020G4PLSGBD，目前已向AI数据中心OEM和ODM送样，量产计划于2027年中。据瑞萨称，Gen 4+相较Gen 4通过单元设计和比导通电阻的渐进式改进，实现更低的RDS(on)、更小的尺寸、更低的栅极电容（CGS、CGD）和输出电容（Coss）；Gen 6预计要到2027年才提供样品。该器件为d-mode，与LV硅MOSFET配对使用。封装支持顶面、底面或双面散热，当前支持20-mΩ器件，未来10–15-mΩ器件或可单冷板散热。相比TOLT封装，DSC PQFN在x-y轴封装面积减少约57%至60%，高度约1 mm（对比TOLT的2.35 mm，表格中为2.3 mm），热阻抗低9%至10%（0.36 °C/W对比0.4 °C/W），四开关功率级PCB面积可减少约15%至25%。在6-kW、800 V转48 V、运行于650 kHz至1 MHz的IBC演示板风冷测试中，DSC全负载效率提升0.14%，相当于6-kW转换器中约10+ W的额外功率；测试未使用液冷，下一步将进行液冷测试。DSC 8×8（含650-V GaN）应用于初级侧，每个模块仅承受约400 V，两个模块串联以适应800 V总线。DSC封装技术的主要应用是初级侧800 V DC转换为48 V、12 V和6 V的中间总线转换器（IBC）。针对800 V转6 V输出电流超过3,000 A的情况，瑞萨正与EPC合作推进LV GaN的DSC封装选项。瑞萨在10月12日至15日于加州圣何塞举行的OCP全球峰会上展示了该器件，作为其800-V电源解决方案的一部分。
快科技10月19日消息，微软13英寸Surface Laptop与12英寸Surface Pro近日在电商平台及官方商城开启预售，两款新品均换装高通骁龙X2 Plus平台，预售定金100元。骁龙X2 Plus采用第三代Qualcomm Oryon CPU与台积电3nm工艺，集成Hexagon NPU，AI算力达80 TOPS，显卡部分为高通Adreno；两款Surface均延续无风扇设计，微软公布的数据显示电池续航提升18%，图形速度提升超过60%，设备内AI性能提升95%。价格方面，12英寸Surface Pro电商渠道仅有16GB+512GB一个配置，售价8488元；13英寸Surface Laptop提供16GB+256GB（9788元）和16GB+512GB（10588元）两个配置；24GB+512GB大内存版本仅在微软官方商城自营销售，12英寸Surface Pro售价11588元、13英寸Surface Laptop售价12188元，与电商渠道同容量版本存在1300元至1600元价差。此外，产品页与规格表在处理器标注上存在并列口径：13英寸Surface Laptop规格表写的是骁龙X Plus（6核心），而12英寸Surface Pro才标注骁龙X2 Plus（6核心），官方未给出统一说明。
据IT之家10月19日消息，任天堂近期在欧洲推出了支持便捷更换电池的新版 Switch 2，技术人员 modyfikatorcasper 拆解后发现，该机并未换用传闻中的夏普 LCD 面板，仍使用群创光电（Innolux）面板。除主板和电池仓设计外，新版变化较为有限：新机更换了风扇，可能对散热表现产生一定影响，但目前尚无证据表明其性能有明显改善；机身 RAM 内存容量仍为 12GB，只是内存供应商有所变化，玩家不太可能获得明显性能提升，此次改版的主要意义在于提升维修便利性。此外，有迹象显示任天堂可能将相应版本推向其他市场：型号为 BEE-001 (-01) 的机型已出现在美国联邦通信委员会（FCC）的相关记录中，暗示后续可能在美国市场贩售，但目前仅为迹象和暗示，并非已确认的销售计划。
快科技10月17日消息，据博主数码闲聊站透露，iPhone 18 Pro Max再度刷新纪录，在2026年第41周（10月5日至10月11日）单周单品国内激活接近90万台；iPhone 18 Pro系列双杯累计销量目前已超过400万台。从产品结构看，大屏、大内存的iPhone 18 Pro Max占据绝对主力，出货量占比超过全系列总量的50%，消费者选择顶配版本意愿强于往年新品发布周期。据安兔兔9月iOS设备好评TOP10榜单，iPhone 18 Pro Max好评率99.02%，位列第1且是榜单中唯一突破99%的设备。原文将销量归因于：近期发布的安卓旗舰机型因关键零部件成本上升普遍提价，万元价位段内安卓顶配与iPhone Pro系列价格差距明显收窄，部分原倾向安卓顶配的用户转向新款iPhone，且高端消费群体对价格敏感度较低；此外iPhone 18 Pro系列近期参与双11促销，全系可享最高800元的综合补贴优惠，原文称这会进一步激发销量。
苹果首款折叠屏手机iPhone Duo于周五上午开放预购后，发货估期在数分钟内从11月滑至12月，最终延至明年1月底，延迟覆盖全部颜色选项及从256GB至2TB的所有存储配置；苹果称预购需求"非同寻常"，并将持续接受在线订单。首批交付定于10月23日启动，官网提示10月24日起可查询店内自取库存，但苹果未披露10月23日正式开售当天实体门店是否备有现货。彭博智库分析师Anurag Rana和Josh Christensen在周五研报中指出，iPhone Duo销量可能超越此前针对苹果2027财年设定的1400万部及280亿美元销售额预估；若苹果成功说服现有iPhone Pro及Pro Max用户转向该折叠入门机型，iPhone整体平均售价将分别提升82%和67%。iPhone Duo起售价为1,999美元，2TB顶配售价3,200美元，创苹果iPhone定价历史纪录。关于供应受限，原文提及该机发布前已有制造难度较高、或致供货紧张的传言，且苹果面临今年消费电子行业普遍存在的元器件短缺问题、尤其是内存芯片供应不足，迫使其全线产品提价；上次类似延误为2022年新冠疫情期间iPhone 14部分订单延误逾一个月。苹果股价周五上涨0.43%，报343.46美元。
据数码博主 @i冰宇宙 10 月 16 日援引《首尔经济日报》的报道，三星在为 Galaxy S27 Ultra 旗舰手机做最终性能验证时，发现高通第六代骁龙 8 超级至尊版存在过热问题：内部测试显示该芯片在高负载运行时温度反复超过阈值，并出现处理速度下降的情况。三星已于 2026 年 9 月将测试结果反馈给高通，并要求其在 10 月中旬前完成改进；双方目前仍在持续优化并重新测试。三星计划在本月中旬评估高通的散热改进进展并最终确定处理器方案，若问题无法解决，三星可能改用自研的 Exynos 2700。若 Exynos 2700 最终入选，将是 Ultra 系列时隔五年再次搭载 Exynos 芯片——此前三星在 2022 年的欧洲版 Galaxy S22 Ultra 上使用 Exynos 2200，自 2023 年 Galaxy S23 Ultra 起，Ultra 机型全球统一采用高通处理器。
据快科技10月16日消息，在俄罗斯索契举办的Microelectronics 26（ME26）微电子论坛上，俄罗斯本土芯片厂商集体亮相，以运行游戏的方式演示产品（该论坛为展会演示事件，原文未涉及价格或产量数据）。其中，一台仿初代任天堂红白机（NES）外观、名为Ushka的小主机采用Baikal Electronics的BE-U1000微控制器；经拆解确认，BE-U1000内含三颗CloudBear核心，走32位RISC-V架构，即两颗主频200MHz的BR-350加一颗主频100MHz的BM-310，配有256KB闪存和192KB SRAM，外设接口含USB 2.0、I2C、I2S、UART和48条GPIO，封装为10×10毫米QFN-88。真正运行初代《超级马里奥》的是MCST的Elvis Hypercom-U SoC，其拥有四个主频最高1.2GHz的Arm Cortex-A53核心，配双核ELcore-50 DSP和PowerVR GE8300图形处理器，最多可搭8GB LPDDR4内存，支持USB 3.0、千兆以太网、Wi-Fi、蓝牙和HDMI输出。展会上还摆出几台MCST的Elbrus架构整机，但拍照者未说明具体型号，从线索推断可能是Elbrus-16S（16核、主频最高2GHz、最多8通道DDR4-3200、16纳米工艺、120亿晶体管、双路服务器原型内存最高2TB），此为推断而非确认。另有面向迷你主机和笔记本的Elbrus-2S3，同样16纳米、主频最高2GHz、算力196 GFLOPS、支持DDR4-3200和PCIe 3.0，其MP21小板整机功耗可达40W。文中还提到，几年前俄罗斯政府曾下令研发高端游戏主机，但此次展台上未见成果现身。
这是一篇关于FPGA原型验证的技术性文章，未涉及价格、产能或供需变化。文中引用2024年Wilson Research Group功能验证趋势报告的三次调研数据：2016至2024年间，'design error'作为ASIC功能缺陷根因的占比从75%降至60%，'changes in specification'从59%降至43%；而'incorrect or incomplete specification'从56%升至58%再到59%，基本持平且略有恶化（各数字为受访者勾选比例，允许多选，不合计100%）。文章主张FPGA原型验证可在规格定义阶段验证'是否在做正确的芯片'，并介绍S2C的Prodigy平台与PlayerPro工具链：100+块Prototype Ready子卡与参考设计、50+个Prototype Ready IP模块；Prodigy Logic System S8-100基于AMD Versal Premium VP1902，单核心模块约1亿ASIC门，两模块约2亿门，四模块约4亿门，2,212个XPIO（最高56Gbps）。公司层面：S2C深耕ASIC与SoC验证超过20年，拥有300多名员工、服务700多家客户、设7个全球分支机构，自2020年以来服务全球前25大半导体公司中的12家；S2C估计其总拥有成本比传统EDA供应商低30–50%。
Sipeed 宣布了其 MaixStation，这是一款与 Nvidia DGX Spark 和 AMD Ryzen AI Halo 竞争的国产产品，预计 128GB 型号售价约 3,999 美元。公司表示，签现已开放，将在 2026 年底进行 Kickstarter 众筹，众筹结束后三个月内开始发货。NPU 工具链将在 2026 年 10 月底发布。该公告发布于 2026 年 10 月 15 日。
AWS采取“能买不做、择廉而用”的组网策略，基于PCIe的NeuronLink协议和标准以太网变体EFA，Scale-Out带宽两代未提升，交换芯片依赖外采，竞争力并不强。
pSemi高级产品营销经理Jason Ngai在Power Corner访谈中介绍ARC1C0608 LED背光驱动IC，该器件适用于单节（1S）锂离子笔记本，需将2.7至5.5 V输入升压至最高30 V的LCD背光电压。Ngai称现代SoC待机效率提升后，显示屏成为主要功耗来源，占总系统功耗最高约70%，且显示屏无法待机，只能调暗或关闭。他指出LED背光驱动为升压变换器，输入电压越低效率越差：典型1S LED驱动器效率约为中80至高80百分比区间，但在电池电压范围（满电约4.35 V，接近截止约3.2–3.6 V）内会降至中60至中70百分比。ARC1C0608采用升压加电荷泵的专有两级架构，可实现最高95%峰值效率，在大部分工作范围内效率为高80至90以上百分比；以3.8 V输入、22–24 V输出为例，电荷泵以3倍倍压工作，升压级只需升至约8 V。该架构降低对电感的依赖，可配合1.2 mm高（甚至0.6 mm高，效率仅降约1%）的芯片电感实现薄型方案。除笔记本外，该IC也适用于平板、VR头显、无人机车灯及自行车显示等单电池显示应用。
据36氪报道，国产芯片企业众星微在无锡举行首次品牌发布会，集中展示12款量产芯片，并发布PCIe 6.0 Switch、800G多协议AI NIC、多模RAID三款新品，覆盖计算、网络、存储等高性能互连领域。原文未说明原因（本文为产品发布消息，未涉及涨价、停产等事件原因）。
俄罗斯芯片制造商在2026年10月11日的Microelectronics 26（ME26）论坛上展示了国产RISC-V和Arm芯片，以复古游戏作为演示点，包括基于Baikal Electronics BE-U1000微控制器的NES克隆、Elvis Hypercom-U SoC以及MCST的Elbrus-based PC。文章于2026年10月15日发布。来源未说明原因。事件状态为观察到的演示。
Nvidia在10月13日于旧金山举行的SEMICON West 2026上发布下一代共封装光学（CPO）技术——光学引擎置于转接板上（optics-on-interposer，OOI）。该技术将光学引擎从有机封装基板移到承载计算芯片的转接板上，通过消除电气信号路径中的有机基板来提高带宽密度并降低功耗，Nvidia称已开发出原型。Nvidia首席研究员Nikola Nedovic进行了该研究的报告。Nvidia还发布了DWDM技术，演示了8个波长、每波长32Gb/s、单光纤256Gb/s的传输。两项技术均仍处于研究阶段，Nedovic表示正在为未来产品提出并评估技术，同时解决阻碍商业化的挑战。Nvidia已量产部署CPO产品Quantum-X Photonics和Spectrum-X Photonics：Quantum-X用于连接Blackwell Ultra-based GB300 NVL72机架的InfiniBand网络，Spectrum-X部署于Vera Rubin平台的以太网交换机。Nvidia还建立了CPO制造生态：TSMC提供COUPE硅光子封装技术并与SPIL共同代工，Coherent、Lumentum、Sumitomo Electric制造外置光源模块，Corning、Senko、Browave、TFC供应光纤及相关组件，Foxconn和Fabrinet负责散热与最终测试。
TDK 推出 Micronas HAR 3025 双芯片抗 stray-field 稳健电机位置传感器，具备冗余设计、ASIL D 就绪（SEooC），符合 ISO 26262:2018 和 ISO 11452-8:2015 标准，样品已可获取，量产计划于 2027 年上半年开始。原文未说明原因。
Antaira Technologies宣布其LMX-1204G-SFP-T-BABA管理型千兆以太网交换机完全符合2026年10月1日生效的《建设美国，购买美国》(BABA)法案第二阶段要求，该交换机在美国制造并已可即时供货；根据联邦公路管理局(FHWA)要求，制造产品的组件成本国内占比自2026年10月1日起提高至55%，该交换机至少55%的组件成本在美国开采、生产或制造，系统 integrator、承包商和政府机构可在联邦资助的基础设施项目上部署而无需承担国内含量风险。Antaira同时公布了下一款符合BABA要求的平台LMP-1204G-SFP-bt-24-T-BABA，为系列新增每端口最高100W的IEEE 802.3bt PoE++供电，计划于2027年第一季度投产；该型号包含四个IEEE 802.3bt PoE++端口（每端口最高100W）、四个IEEE 802.3at PoE+端口（每端口最高30W）和四个千兆SFP插槽，采用12–55VDC宽压输入。公司的BABA计划于2025年启动，当时推出了LMX-1204G-SFP-T-BABA并将制造业务扩展至美国。
SK hynix于2026年10月14日在Newsroom系列文章[Inside the Research]第2部分介绍其发表于2025 IEEE国际电子器件会议(IEDM)的研究论文《Co-Optimizing Cell, Non-Cell, and Page Schemes for Energy Efficient Analog Computing in 3D FeNAND》,作者为Won-Tae Koo与Jihun Kim。研究提出基于3D FeNAND的模拟存内计算(A-CiM)架构,通过对单元(cell)、非单元(互连/字线)和页(page)三类方案进行协同优化,在相同芯片面积约束下,相比传统3D阵列实现约10至20倍的吞吐量提升和约4,000至5,000倍的能效提升;文中亦说明这些数字反映了3D FeNAND相较被广泛研究的2D非易失性存储阵列的高密度优势。各项优化包括:字线采用低电阻金属使吞吐量最高提升16%、能效最高提升3%;引入空气间隙使字线间寄生电容降低约60%,吞吐量提升1.2倍、能效提升2倍;字线电阻与电容联合优化后吞吐量最高提升1.4倍、能效最高提升2.2倍;页内流水线(IPP)使能效翻倍、吞吐量提升9倍;将16KB页拆分为4个4KB子页使能效提升1.2倍、吞吐量提升1.7倍。研究团队还在300mm晶圆规模上演示了低电流区每单元四电平操作及稳定数据保持。文章称该研究展示NAND从存储介质向计算介质扩展的潜力,未涉及价格、出货、产能或市场状况。
pSemi（穆拉塔公司）推出两款完全集成的2.4 GHz前端模块PE566212和PE566213，集成功率放大器、低噪声放大器和RF开关，采用硅-on-绝缘体(SOI)设计，旨在提升物联网设备的无线连接能力。
Infineon 推出 XDP8HD40S-1 高压热插拔控制器，专为下一代 AI 服务器电源架构中的数字电源路径保护和监控设计，工作电压为 ±400 V 和 800 VDC，样品计划于 2027 年第二季度可用。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |