SK Hynix在3D存储器推动传统量测技术接近极限之际推进芯片检测技术
SK Hynix正在强化其量测与检测（MI）能力，因为向3D DRAM架构的过渡以及日益复杂的NAND堆叠给传统半导体检测技术带来了新的挑战。原文未说明原因以外的具体措施、时间表或对产能与价格的影响。
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SK Hynix正在强化其量测与检测（MI）能力，因为向3D DRAM架构的过渡以及日益复杂的NAND堆叠给传统半导体检测技术带来了新的挑战。原文未说明原因以外的具体措施、时间表或对产能与价格的影响。
长鑫存储技术（CXMT）预计将在2026年前九个月实现净利润人民币131亿至132.5亿元（约合195.8亿至198亿美元），扭转去年同期的亏损，原因是人工智能算力需求激增导致内存芯片短缺和价格上涨。
据快科技10月19日报道，美光正在推进面向物理AI的专用存储芯片——边缘推理内存（Edge Inference Memory，EIM）的研发。美光高管表示，自动驾驶、人形机器人、增强现实与虚拟现实等物理AI市场正在迅速崛起，公司正与核心客户沟通共同推进适配产品研发。EIM的架构是在逻辑芯片之上垂直堆叠低功耗内存（LPDDR），与存内计算（PIM）属于不同概念，EIM的具体计算架构目前尚未公开；EIM介于AI处理器与内存之间，主要用于降低数据处理延迟并提高系统带宽。美光尚未披露具体目标性能指标，正在推进将EIM集成至LPDDR6方案的技术研发，业内预计其量产时间将在2028年下半年（为业内预计，非美光官方确认）。现阶段人形机器人主要采用LPDDR等低功耗内存而非HBM；美光表示目前机器人AI模型参数量多在十亿至二十亿左右，对内存带宽需求有限，随着更强的视觉语言模型引入，仅凭LPDDR将难以为继，必然会向HBM架构演进。原文未说明价格或供给影响。
巴克莱最新报告预测，全球（不含中国）数据中心新增容量的同比增速将从2026年逾100%大幅回落至2027年的约35%，2028年可能趋于平稳（此为预测，非已实现数据）。报告预计2027年全球（不含中国）新增投运容量约25GW，其中超大规模云服务商占比超过60%；建模时保守假设非超大规模项目管道的实际转化率仅约40%，理由是土地、电力接入及供应链等物理瓶颈。报告同时警告债务成本上升与融资环境收紧对开发商构成额外压力，并提及CoreWeave正在进行的投资者融资讨论为佐证；CoreWeave计划在2030年前新增5GW数据中心容量，其融资进展受市场关注。巴克莱认为2027年后增速放缓的核心逻辑是物理约束与资本约束共同作用，并建议超配半导体、低压电气及冷却设备，对电力设备及中压电气持相对谨慎态度。
9月22日，高通联合阶跃星辰、无量火和江波龙，将30B MoE模型完整部署在第六代骁龙8超级至尊版移动平台上，并在参考设计设备上完成验证，模型推理无需调用云端；9月16日，vivo宣布预研蓝心30B MoE端侧模型；10月13日，面壁智能发布35B-A3B开源模型MiniCPM-V 4.7，并公布在iPhone 17 Pro Max上的实机运行结果。原文明确将这一变化归因于MoE（混合专家）等技术逐渐成熟，使模型总参数规模与单次推理计算量部分解耦。文章指出该变化发生在手机存储成本持续上涨的背景下，并引述集邦咨询称2026年高端手机运行内存配置更多集中在12GB、16GB配置受到压缩。按高通公布数据，经联合优化后模型运行内存需求较常规方案降低超过50%，预填充吞吐超过每秒330个Token、解码吞吐超过每秒28个Token；面壁MiniCPM-V 4.7在iPhone 18 Pro Max上测试仅用约3GB运行内存实现每秒20个以上Token解码。vivo周围认为30B MoE工作电流低于500毫安是较理想目标，到2028年底若能控制在600毫安上下有望具备实际使用条件；文章同时强调芯片从规划到落地约需24个月，技术路线仍存变数，商业价值尚无定论。
美光正在为物理AI应用开发边缘推理内存（EIM），该内存通过将低功耗DRAM堆叠在逻辑芯片上以提高数据处理效率，预计将在2028年下半年实现量产。
加州大学伯克利分校、三星电子和英特尔的研究人员发表了题为“Nanoelectromechanically Gated Gain Cell eDRAM”的研究论文。论文摘要节选指出，存储墙以及静态随机存取存储器（SRAM）缩放放缓重新引发了对增益单元嵌入式动态随机存取存储器（gain-cell eDRAM）的兴趣；增益单元虽可提供高密度和能效，但其保留时间（retention）有限。该文属于研究发布，为背景信息，原文未提及价格、产能或商业化安排。
英伟达高管表示，消费者图形处理单元（GPU）短缺源于内存供应不足，这是公司无法控制的。该公司旗舰消费级GPU RTX 5090的交易价格最高达1500万韩元或更高，约为其含税建议零售价的五倍。RTX Spark笔记本起价约470万韩元，最高可达1000万韩元。公司将高价归因于内存成本上升。上述言论是在首尔江南区三成洞的RTX Spark发布会上于10月16日发表的。
华为科学家黄宇在2026年10月15日的湾区芯片博览会上表示，EDA工具是Tau（τ）定律面临的最大挑战。华为于2026年5月25日在ISCAS 2026正式提出Tau定律，并在2026年10月发布搭载基于LogicFolding技术的Kirin 9050 Pro芯片的Mate 90系列，标志该理论从概念走向商用。
据首尔经济日报10月18日报道，业内消息人士18日称，英伟达已向三家NVHBM供应商——三星电子、SK海力士（000660.KS）和美光提出要求：基底裸片统一使用台积电3纳米工艺制造，核心裸片统一采用代号1c的第六代DRAM工艺。NVHBM基于第七代下一代HBM标准HBM4E架构开发，是英伟达在8月发布的定制版高带宽内存。英伟达提出该要求的原因是各家HBM供应商制造方案各不相同，难以基于同一套设计实现稳定一致的性能，同时标准化可减轻针对每家供应商单独开展产品验证的工作量。负责三星晶圆代工业务的设备解决方案事业部（Device Solutions）经过内部评估，决定接受英伟达的要求，即三星将采用台积电工艺为英伟达下一代定制HBM生产基底裸片，调整此前HBM核心裸片与基底裸片均自主生产的一站式全包制造模式。报道同时提到：对于标准HBM产品，三星仍保留一站式全包生产策略；三星今年全球率先量产第六代HBM4，目前第七代HBM4E正在进行量产验证，这两款产品的基底裸片均采用三星自研4纳米代工工艺，核心裸片在三星华城、平泽厂区的1c产线生产；面向AMD等其他客户的定制HBM，三星计划继续沿用一站式全包生产方案；三星也保留了在自家晶圆厂研发、生产NVHBM的可能性，业内人士称三星正在验证能否在自有产线上制造NVHBM基底裸片，作为防止NVHBM需求超出台积电产能上限的预案。
Kulicke & Soffa 财政第三季度 2026 年净收入为 3.304 亿美元，同比增长 123%，毛利率 47.8%，非GAAP每股收益 1.20 美元，超出预期。公司预计财政 2026 年第四季度收入约为 3.75 亿美元，截至 2026 年 10 月 3 日，因半导体、存储、汽车和工业市场需求增强。
10月17日，科技播客《All-In Podcast》中，a16z联合创始人Ben Horowitz、Jason Calacanis、Chamath Palihapitiya与前白宫AI主管David Sacks一致判断：此轮AI股票波动是高速增长叙事下的正常市场波动，而非泡沫破裂的序曲；亚马逊AWS掌门人Andy Jassy向Horowitz确认，GPU及相关基础设施的供应紧张将延续至2028年底之后，需求侧没有实质恶化。新能源云计算公司遭遇信用冲击与大模型公司上市估值争议的双重压力令AI投资逻辑面临压力测试：CoreWeave近期的债券遭遇大幅抛售，收益率飙升至15%左右；Chamath引述CDS市场数据称违约风险本周飙升至约953个基点，隐含单年违约概率约16%、五年期限约55%，并指出CoreWeave约有350亿美元债务、还需再融资350亿美元支持已签合同，其团队估计距离盈亏平衡点约正负50亿美元。Anthropic泄露的财务数据显示第三季度营收168亿美元、净收入留存率900%、调整后毛利率85%、调整后经营利润率11%、自由现金流转正，公司筹备今年感恩节前后上市，目标估值约2万亿美元；Chamath建议将IPO定价下调至1万亿美元并一次性募资2000至2500亿美元。Chamath还警告，一旦美国十年期国债收益率升至6%，所有依赖利差盈利的商业模式都将面临严峻考验，并认为电力将成为终极护城河，到2050年美国将短缺约1.4太瓦时电力。
硬件爆料者KeplerL2近日在NeoGAF论坛称，索尼下一代PlayStation主机的RAM与NAND闪存成本合计已超过680美元；该数字仅来自论坛发言，没有公开成本拆分、供应商报价或计算方法，索尼也尚未公布PS6的硬件规格、售价或上市时间，属于未经证实的估算。此前流传的配置包括GDDR7统一内存、160位总线、30GB容量（传闻容量上限可能达40GB，较可能为30GB），数据传输速率可能达每引脚32Gb/s、对应理论带宽约640GB/s，均未获索尼确认。报道未给出NAND闪存容量，也未说明680美元中RAM与存储各自占比。TechPowerUp此前引用KeplerL2的另一估算称，PS6整机物料成本可能从今年3月的约760美元升至7月的约960美元，该整体成本同样没有公开明细；现阶段关于PS6最终售价超过1000美元的说法也只是市场推测。文中将成本压力归因于DRAM与NAND市场供应紧张，以及人工智能数据中心对内存和存储的需求挤压其他产品供应；若内存成本持续高企，索尼可能需要调整容量、硬件配置、补贴策略或上市节奏。
Micron副总裁Lee Cheol于10月16日在首尔COEX举行的SEDEX 2026“Semiconductors Powering Humanoids”会议上表示，Micron正为物理AI应用准备边缘推理内存（EIM），并与主要客户讨论开发适合自动驾驶、人形机器人、AR/VR等新兴市场的产品。EIM定位于AI芯片与内存之间，用于降低数据处理延迟并提升带宽；其将LPDDR堆叠在逻辑裸片之上，与PIM不同，EIM的计算架构尚未公开，Micron也未披露具体性能目标。该公司正在开发将EIM应用于LPDDR6的方法，业界观察人士预期2028年下半年量产。Micron指出，当前机器人AI模型约使用10亿至20亿参数，内存带宽要求不高，但随着更先进的视觉-语言模型（VLM）出现，仅靠LPDDR将不足，需要转向HBM。Micron预计未来高性能人形机器人将需要约200GB DRAM和4TB存储，而目前服务机器人使用12GB DRAM和256GB存储。该公司称正从早期设计阶段与机器人制造商、芯片组公司及超大规模云厂商合作。
据韩国媒体The Elec报道，美光正与主要客户讨论面向物理AI的新型内存产品，开发名为"边缘推理内存"（EIM）的方案，重点应用包括人形机器人、自主驾驶以及AR、VR设备。美光高管李哲在SEDEX 2026相关活动上表示，物理AI市场正快速发展，公司正与客户推进适配新市场的产品开发。EIM的设想是在逻辑裸片上堆叠低功耗LPDDR，目标与HBM类似但更注重降低功耗，适合电池供电的机器人；EIM不同于PIM，其具体计算结构、容量、带宽、延迟、功耗或性能目标均未公布。报道称美光正研究将EIM与LPDDR6结合，业界预期量产时间可能在2028年下半年，但这是产业界预测，并非美光公布的正式量产承诺。美光估算目前机器人使用的AI模型约有10亿至20亿个参数，现有LPDDR仍可满足不少需求；美光预计未来高性能人形机器人可能需要约200GB DRAM和4TB存储，而目前工厂服务型机器人常见配置约为12GB DRAM和256GB存储，这些是估算不代表所有在售机器人配置。美光认为未来机器人或许会采用HBM，但需考虑功耗、散热和空间；EIM若能以较低功耗提升传输效率，可能成为LPDDR与HBM之间的新选择。在规格、功耗和实际产品公布前，EIM能否满足下一代机器人需求仍有待验证。
据快科技10月17日报道，日前流传的HBM专家纪要信息称，国产HBM内存预计会在六个月内将良率提升到40-50%，高于此前传闻的25%良率（25%意味着3/4的芯片不能用），50%左右的良率意味着国产HBM内存明年的供应量会有较大增长，报道称昇腾960提前三个季度量产是一个证据。HBM芯片需要多个DRAM内存芯片堆叠，1个HBM大约折抵2.5-3倍通用内存产能，且对3D封装要求很高，导致良率比较低、拉高成本。此前国产AI芯片用的HBM要么是囤货、要么向三星、SK海力士购买，规格较低，能拿到HBM2都很难。报价方面，国产HBM因成本依然较高，不会走低价抢市场路线，而是接近三星的报价，仅低20%以内。背景方面，三星等公司已量产HBM4，很快要量产HBM4e，国产还在追赶HBM3/3e。良率提升为流传的预期信息，能否实现尚未确认。
据快科技10月17日消息，博主数码闲聊站公布的数据显示，截至W41周，华为Mate 90系列激活销量约为43.6万台，位居国产旗舰第一名。该系列包含五款机型：Mate 90、Mate 90 Pro、Mate 90 Pro Max、Mate 90 Pro Max典藏版和Mate 90 RS非凡大师。硬件方面，Mate 90标准版搭载麒麟9030芯片，Mate 90 Pro搭载麒麟9035芯片，Mate 90 Pro的12GB内存版本搭载麒麟9050，16GB版本、典藏版及RS版搭载麒麟9050 Pro芯片；麒麟9050 Pro首次采用逻辑折叠技术，不依赖更先进光刻节点。Mate 90系列起售价为5999元。原文未说明该销量数据的进一步原因或影响。
纳斯达克100指数（NDX）在经历一轮剧烈抛售后，于关键趋势支撑位与100日均线交汇处形成锤形反转K线，多空双方展开决定性博弈；据The Market Ear分析，若守住该区域可能触发强力轧空行情，若跌破则市场或将急速恶化。本周四盘中，半导体行业基金VanEck Semiconductor ETF（SMH）和内存产业基金Roundhill Memory ETF（DRAM）相关标的成交量暴增至近期峰值，两者均录得近期最高单日成交量，随后买盘介入、市场阶段性企稳；全球系统性多空策略一日下跌1.4%，接近四个标准差的极端波动，高盛One-Delta交易台负责人Rich Privorotsky指出多空账簿正在积极压缩总敞口，部分成交量可能反映被动止损平仓。科技股CDS利差走阔与科技股下跌同步发生，VXN逼近9月高点。NDX远期市盈率已回落至约21倍，重回2023年AI行情启动以来的估值低点。Privorotsky对半导体板块短期前景谨慎乐观，并提出做空超大规模云服务商、做多半导体的相对价值交易思路；其同时指出，尽管技术折旧加速，B200、H200、H100乃至老款A100的现货算力租赁价格依然保持强劲，但过多资本追逐电力就绪的算力基础设施，重定价过程远未结束。自9月以来，NDX与美国10年期国债收益率呈现罕见的同向联动。高盛Peter Callahan认为约21倍远期市盈率或已构成四重底技术形态，财报季盈利兑现与否将成为决定市场方向的关键。
10 月 16 日消息，长鑫科技发布 2026 年前三季度（2026 年 1 月～2026 年 9 月）业绩预告（为财务部门初步测算结果，尚未经注册会计师审计，具体数据以正式披露的 2026 年第三季度报告为准）：预计营业总收入 2650 亿元～2700 亿元，同比预增 725.96%~741.54%；预计归母净利润 1310 亿元～1325 亿元，同比扭亏为盈，去年同期归母净利润为净亏损 52.8 亿元。公司主营 DRAM 存储芯片的研发、生产和销售。原文给出的业绩增长核心原因为：2025 年下半年以来 AI 算力需求快速增长，全球 DRAM 行业景气度大幅提升，产品供不应求、价格大幅上涨；公司稳步推进产能建设、产品研发和工艺技术提升，单位晶圆产出和产能利用率持续提高，规模效应逐步显现。
Terafab 项目已获得 16.8 亿美元的一期资金（四期总额最高可达 119 亿美元）；其位于奥斯汀的研究晶圆厂正在每月处理几千片晶圆，迭代工艺配方、晶体管设计和封装变体，而格里姆斯县正在建设的产能晶圆厂目标是每月 10 万片晶圆起始量，首片硅预计在 2029 年交付，采用埃隆·马斯克所命名的英特尔 14A 工艺。站点和一期资金已获批准，研究晶圆厂正在施工，但尚未公开首片晶圆日期或所有权条款，且特斯拉和英特尔均未签订合约约束。文章认为，先进封装而非光刻将决定单屋顶概念是否盈利。
Whose chips are really inside the hottest new products? We open them up and show you, one part at a time.
All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |