三星18天罢工致DRAM减产4%，NAND减产3%
三星电子5月将面临18天罢工，预计导致DRAM减产3-4%，NAND减产2-3%。此次劳资纠纷发生在本已紧张的存储芯片市场。
利多
供应冲击将加剧现货短缺，预计推高近期内存价格。
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三星电子5月将面临18天罢工，预计导致DRAM减产3-4%，NAND减产2-3%。此次劳资纠纷发生在本已紧张的存储芯片市场。
供应冲击将加剧现货短缺，预计推高近期内存价格。
Kioxia暂停岩手县NAND产线生产，TEL及材料商受波及。此次7.7级地震震中位于三陆海岸，仙台、青森等地震度达5+。
NAND供应面临不确定性，短期供应中断风险上升。
三星电子93%的工会成员投票支持罢工，若谈判破裂将于5月21日发起为期18天的罢工。争议焦点为奖金制度，三星在韩生产其全部DRAM及约三分之二的NAND闪存。
若罢工发生，将直接冲击全球DRAM与NAND闪存供应，引发市场波动。
三星电子工会将于本周对5月21日至6月7日为期18天的罢工进行投票，涉及8.9万名员工，核心诉求为7%加薪及取消绩效奖金上限。此次潜在罢工正值全球半导体供应链敏感调整期，且规模远超2024年未影响生产的首次罢工。
若罢工成行，将对全球存储芯片供应构成实质性风险，交易员需警惕DRAM及NAND Flash价格波动。
中东冲突引发能源动荡，卡塔尔暂停LNG出口可能影响台湾33.7%的天然气进口及全球30%的氦气供应。台积电2024年总用电量达274.56亿千瓦时，其中93%为外购电力。
能源价格波动及氦、溴材料供应风险，可能推高晶圆制造成本并影响DRAM/NAND生产稳定性。
卡塔尔LNG工厂因军事袭击停产，韩国LNG储备仅剩不足2个月。全球超半数DRAM和NAND存储芯片产自韩国，七成先进逻辑芯片产自台湾，两地高度依赖卡塔尔LNG。
若海峡受阻，晶圆厂电力供应将受威胁，引发芯片生产中断及价格暴涨。
TEMC CNS预计将于Q1和Q2分别恢复对SK海力士的HCDS和TiCl₄前驱体供应，此前因2023年9月火灾中断。供应商已将生产转移至自动化程度更高、产能提升30%的新工厂。
关键存储芯片制造商的供应链中断风险缓解，但全面恢复及质量验证尚需时间。
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