PCB上游材料短缺持续，CCL、铜箔及钻头供应商产能扩张计划延续至2029年之后
AI与高性能计算(HPC)的快速发展推动PCB向更高层数、更高密度和更高性能材料方向演进，引发上游材料与设备的无明确结束时点的短缺。覆铜板(CCL)、铜箔与钻头的关键供应商正在推出覆盖未来3-4年的产能扩张计划；标题显示扩张延续至2029年之后。上述扩产为计划状态，原文未说明具体扩产规模、投资金额或是否已落地。
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AI与高性能计算(HPC)的快速发展推动PCB向更高层数、更高密度和更高性能材料方向演进，引发上游材料与设备的无明确结束时点的短缺。覆铜板(CCL)、铜箔与钻头的关键供应商正在推出覆盖未来3-4年的产能扩张计划；标题显示扩张延续至2029年之后。上述扩产为计划状态，原文未说明具体扩产规模、投资金额或是否已落地。
宏昌电子拟投建先进封装膜材(GBF)、高端覆铜板等项目。原文未说明投资金额、建设地点、时间安排及产能规模，项目目前仅为拟投建计划，尚未提及已开工或建成。
在2026年开放计算项目（OCP 2026）全球峰会上，英特尔展示了硅光子技术发展蓝图，数据中心系统与解决方案公司副总裁尼克·杜贝将硅光子形容为下一代系统架构的“黄金之锤”，并称英特尔是目前唯一能够大规模量产300毫米磷化铟（InP）硅光子晶圆的高产能代工厂。原因方面，源文称传统铜线互连正日益逼近物理极限，在传输距离、封装边缘带宽密度及每比特传输能耗等方面面临瓶颈，数据中心架构需向光互连演进，能耗目标推进至低于5皮焦耳每比特。英特尔指出，当前光学收发器市场中激光芯片与磷化铟材料产能长期供不应求，其将磷化铟光源技术直接整合进300毫米硅晶圆制程以提升制造效率与产能规模；自2016年投入商用以来，已累计出货超过800万个光学收发器和3200万个集成激光器。英特尔正依托300毫米硅光子制程与集成磷化铟光源技术推动共封装光学（CPO）与近封装光学（NPO）发展。
智利Centinela铜矿于10月9日爆发历史上首次罢工，涉及700余名工人，因薪酬和福利待遇分歧未能达成协议。摩根大通警告，若罢工持续，矿山产量可能受到显著影响，工会称约两周后可能开始减产。此时伦敦铜期货价格约为每吨14475美元，接近历史高位，全球铜库存处于低位。
Win 芯科扩大光电二极管与激光二极管产能以应对短缺。受 AI 数据中心需求激增及 800G/1.6T 技术演进驱动。
供应增加可能压制价格。
马维尔与格罗方德宣布扩大合作，在佛蒙特州工厂扩产硅锗（SiGe）以支持1.6Tbps光模块。随着AI算力需求激增，铜缆传输距离受限，硅锗技术成为高速光通信的关键，英伟达等厂商已开始采用CPO技术。
该扩产计划旨在缓解AI数据中心对高速光模块的供应紧张，预计将提振SiGe及光通信板块需求。
德福科技子公司烁金公司生产的表面处理机将用于补充公司HVLP系列铜箔扩产需求。此举旨在提升设备调试效率，及时响应扩产计划。
Coherent计划投资6.5亿美元，将其德克萨斯州工厂的InP晶圆产能提高4倍，以应对AI光学互连需求。英伟达此前注资20亿美元，旨在支持这一扩产计划。
产能大幅扩张可能缓解InP晶圆供应紧张，但需警惕需求超预期。
Doosan Corp投资约1.2亿美元在泰国建设CCL生产基地，计划于2028年下半年量产，以应对AI数据中心带来的需求增长。
扩产预期增加未来供应，可能压制CCL价格。
中国巨石拟投资44.31亿元建设年产5万吨电子纱及3.2亿米电子布生产线。电子纱与电子布是高端覆铜板（CCL）的关键原材料。
新增产能将增加市场供应，可能对现有价格形成压制。
三星代工获光模块订单，计划2026年下半年量产；为应对AI数据中心铜缆物理限制，三星加速硅光与CPO布局。
硅光与CPO技术路线确立，产能扩张预期增强。
博世推出第三代SiC芯片并宣布扩产计划，总投资额达50亿美元。该公司利用先进工艺和200mm晶圆技术，旨在满足电动汽车市场快速增长的需求。
巨额产能扩张可能在未来导致SiC芯片市场供需失衡，价格承压。
欧洲PCB基材供应链仅剩Isola一家和CircuitFoil一家铜箔厂，且已失去电子玻纤布产能。空间、航空及国防领域OEM客户正转向欧洲供应商以确保供应链安全，不再单纯追求成本。
欧洲PCB基材供应商议价权提升，供应链结构性短缺风险加剧。
台光电子计划在台湾、中国大陆及马来西亚同步扩产，目标在2027年底前将全球月产能提升至945万张覆铜板。此举紧随其黄石、中山及槟城工厂近期完成扩产。
多地产能扩张预示未来CCL供应增加，可能缓解供应紧张并对价格构成下行压力。
三星电子宣布进军硅光子代工领域，计划从PIC扩展至CPO，调制器速率达224Gbps/通道。此举旨在解决AI数据中心数据传输瓶颈，并瞄准Coherent和Lumentum等客户。
新产能入局将加剧硅光子市场竞争，挤压现有代工厂商份额。
SKC通过配股筹资1万亿韩元，其中5900亿韩元投向玻璃基板业务Absolics以支持美国工厂量产。
玻璃基板扩产计划预示需求复苏。
台积电计划在2026年前将SoIC月产能提升至1-1.5万片，并于2027年后进一步扩产以满足英伟达等客户需求。SoIC单位产能资本支出高达68-70亿美元/万片，高度依赖前端混合键合设备。
明确的先进封装产能扩张路线图，将直接拉动设备供应商订单。
富乔纤维玻璃批准通过其泰国子公司投资310亿泰铢（约9900万美元）新建工厂，目标2027年投产。此举旨在支持CCL（覆铜板）产业链向东南亚转移的趋势。
长期增加CCL供应产能，可能缓解未来供应紧张并对价格构成下行压力。
新川电子完成近亿元pre-IPO轮融资，由杭州城投、联想投资等机构参投。资金将用于MLCC用60-80nm镍粉、光伏铜粉等产品的研发与生产线扩张。
此举预示上游关键材料未来供应增加，可能缓解特定被动元件的长期供应约束。
力拓集团在犹他州Kennecott铜矿启动碲生产，成为美国仅有的两家生产商之一。碲被美国政府列为关键矿物，用于制造相变存储芯片和碲化镉薄膜太阳能电池。
新的供应来源可能缓解这一关键材料的长期供应紧张，对依赖碲的半导体元件远期价格构成下行压力。
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| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |