Tower半导体扩产光通信40倍,投资40亿美元
Tower半导体与日本政府计划共同投资40亿美元,将日本产能提升至2029年的45,000片/月300mm晶圆,增幅达40倍。该双轨扩张计划包括改造闲置Fab 6及新建300mm产线,旨在满足AI行业对硅光子与SiGe EICs的旺盛需求。
大规模扩产预示未来光通信芯片市场可能面临供应过剩风险,现货价格承压。
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