英伟达锁定台积电1.6nm产能,Feynman H2 2028量产
英伟达已预订台积电1.6nm(A16)产能用于Feynman GPU,计划于2028年下半年量产。A16采用GAA晶体管与背面供电技术,性能优于2nm工艺。
利多
确认了英伟达未来高端GPU需求及台积电先进制程产能利用率。
- Related manufacturers
- Nvidia, TSMC
- Impact score
- 68 / 100, medium impact
英伟达已预订台积电1.6nm(A16)产能用于Feynman GPU,计划于2028年下半年量产。A16采用GAA晶体管与背面供电技术,性能优于2nm工艺。
确认了英伟达未来高端GPU需求及台积电先进制程产能利用率。
长电科技宣布投资11亿美元建设先进封装与测试产能。此举旨在应对中国AI芯片瓶颈,由HPC、HBM及Chiplet需求驱动。
产能扩张计划预示未来供应增加,可能压制先进封装服务价格。
台积电计划在2026年前将SoIC月产能提升至1-1.5万片,并于2027年后进一步扩产以满足英伟达等客户需求。SoIC单位产能资本支出高达68-70亿美元/万片,高度依赖前端混合键合设备。
明确的先进封装产能扩张路线图,将直接拉动设备供应商订单。
ASE集团因AI芯片需求加速,计划扩大先进封装投资,预计先进封装销售额翻倍。背景是AI加速器和高性能计算芯片对先进封装技术(chiplets、3D堆叠等)的结构性需求增长。
先进封装产能释放有望缓解当前瓶颈并支撑AI芯片供应链,但缺少具体投资额、完成周期和产品线细节,交易面价格影响中等。
You've reached the end