英伟达锁定台积电1.6nm产能，Feynman H2 2028量产
英伟达已预订台积电1.6nm（A16）产能用于Feynman GPU，计划于2028年下半年量产。A16采用GAA晶体管与背面供电技术，性能优于2nm工艺。
利多
确认了英伟达未来高端GPU需求及台积电先进制程产能利用率。
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- Nvidia, TSMC
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英伟达已预订台积电1.6nm（A16）产能用于Feynman GPU，计划于2028年下半年量产。A16采用GAA晶体管与背面供电技术，性能优于2nm工艺。
确认了英伟达未来高端GPU需求及台积电先进制程产能利用率。
FMC计划在德国马格德堡投资30亿欧元建设新厂，选址为英特尔原计划用地。该项目需依赖欧盟芯片法案补贴。
FMC股价及铁电存储技术，预示欧洲存储制造复苏。
台积电2026年初始2nm产能已被苹果、英伟达、AMD等主要客户预订一空，其中苹果预计占据早期产能过半。公司正于新竹Fab 20和高雄Fab 22扩产，目标在2026年底前将2nm总产能提升至每月8-10万片，以应对AI/HPC需求激增。
尖端产能争夺激烈，预示先进制程芯片将持续享有定价权并面临供应紧张。
安世半导体中国启动12英寸晶圆分立器件小批量生产，宣称单片晶圆产出较8英寸工艺提升近一倍。此举源于荷兰政府阻止产能转移后引发的运营分裂及付款纠纷，中国区占安世全球产量50-75%。
长期或降低成本并稳定供应，但短期供应链分裂与质量不确定性可能加剧车用及消费电子领域分立器件的紧缺与价格波动。
日本晶圆代工厂Rapidus获得政府及30家私企2500亿日元注资，用于北海道2纳米产线建设，目标2027财年量产。日本政府持有“黄金股”并计划将先进半导体支持预算增至约1.23万亿日元。
此举为2027年后高端逻辑芯片供应格局增添变数，但对当前交易无直接影响。
Nexperia宣布投资2亿美元扩建汉堡晶圆厂，增加硅二极管和晶体管产能，并建立SiC/GaN生产基础设施。此项投资正值该公司庆祝该生产基地成立100周年，旨在扩大其功率半导体产品组合。
成熟硅分立器件产能的明确扩张计划，可能增加市场供应，对相关现货价格构成下行压力。
EPC与VIS签署多年协议，将利用后者8英寸晶圆厂代工GaN-on-Si功率器件，自2023年初起显著提升产能。此举旨在应对GaN功率半导体快速增长的市场需求，并利用更大尺寸晶圆的规模优势。
新的、更大尺寸晶圆的代工产能进入市场，预计将缓解供应紧张，对GaN功率元件中期价格构成下行压力。
GaN Systems将其台湾业务规模扩大三倍，以应对消费电子、电动汽车及数据中心电源需求激增带来的3倍营收增长。此举旨在扩充其氮化镓功率晶体管的设计、支持及供应链管理能力。
主要厂商大幅扩充运营能力，预计将增加GaN功率晶体管的市场供应，对相关现货及合约价格构成潜在下行压力。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |