CXMT拟建3D NAND研发线,距投产尚需2-3年
报道称中国DRAM龙头CXMT计划在第二座北京工厂建设3D NAND研发线,目标客户为AI及超算领域。该项目尚处于早期阶段,距离投产至少需2-3年。
利空
长期看将加剧NAND Flash市场竞争,但短期内对现货价格影响有限。
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报道称中国DRAM龙头CXMT计划在第二座北京工厂建设3D NAND研发线,目标客户为AI及超算领域。该项目尚处于早期阶段,距离投产至少需2-3年。
长期看将加剧NAND Flash市场竞争,但短期内对现货价格影响有限。
深圳新星六氟磷酸锂项目三期建成投产,总产能达1.28万吨。公司此前已投产5800吨,此次新增7000吨产能。
产能释放将加剧六氟磷酸锂市场供应压力,压制价格。
美国元素宣布大幅扩建其盐湖城工厂的镓和锗产能。此举旨在应对中国自8月1日起对相关半导体原材料实施的出口管制。
西方产能扩张旨在缓解供应风险,可能对镓、锗远期价格构成下行压力。
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