Polar与imec合作8英寸GaN制造
Polar与imec的IC-Link合作，宣布为AI数据中心、汽车及国防等领域提供8英寸e-mode GaN器件制造服务。该合作旨在利用8英寸晶圆工艺提升功率器件产能，满足关键市场对高性能半导体的需求。
利空
产能扩张预期将增加GaN供应，可能对现货价格形成压制。
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Polar与imec的IC-Link合作，宣布为AI数据中心、汽车及国防等领域提供8英寸e-mode GaN器件制造服务。该合作旨在利用8英寸晶圆工艺提升功率器件产能，满足关键市场对高性能半导体的需求。
产能扩张预期将增加GaN供应，可能对现货价格形成压制。
英伟达已预订台积电1.6nm（A16）产能用于Feynman GPU，计划于2028年下半年量产。A16采用GAA晶体管与背面供电技术，性能优于2nm工艺。
确认了英伟达未来高端GPU需求及台积电先进制程产能利用率。
FMC计划在德国马格德堡投资30亿欧元建设新厂，选址为英特尔原计划用地。该项目需依赖欧盟芯片法案补贴。
FMC股价及铁电存储技术，预示欧洲存储制造复苏。
罗姆半导体集结技术人员，计划2027年实现GaN内部制造以克服TSMC撤退逆风。此举旨在提升供应链自主性。
GaN供应前景。
ROHM半导体与Aixtron合作，在浜松工厂导入G10-GaN MOCVD系统量产8英寸GaN外延片。此举旨在建立自有的GaN外延产线，覆盖650V和100V功率器件平台。
ROHM GaN功率器件供应链稳定性提升及长期产能释放对市场的影响。
铠侠计划2026至2028财年平均每年资本支出达4700亿日元，较2025财年大增66%，并考虑建设第三座北上山工厂。尽管当前产能利用率仅约50%，但受AI推理NAND需求86%复合年增长率驱动，公司预计供需紧张将持续至2027年。
NAND Flash价格走势，供应链中短期内将维持紧缩状态。
TI投600亿美元建七厂，目标2030年自产95%芯片。此举旨在应对数据中心和工业市场需求的强劲增长，其中数据中心营收同比激增90%。
垂直整合策略将强化供应链控制力，且旺盛需求预示着相关IC产品前景乐观。
博世推出第三代SiC芯片并宣布扩产计划，总投资额达50亿美元。该公司利用先进工艺和200mm晶圆技术，旨在满足电动汽车市场快速增长的需求。
巨额产能扩张可能在未来导致SiC芯片市场供需失衡，价格承压。
台积电2026年初始2nm产能已被苹果、英伟达、AMD等主要客户预订一空，其中苹果预计占据早期产能过半。公司正于新竹Fab 20和高雄Fab 22扩产，目标在2026年底前将2nm总产能提升至每月8-10万片，以应对AI/HPC需求激增。
尖端产能争夺激烈，预示先进制程芯片将持续享有定价权并面临供应紧张。
IVWorks获6亿韩元Pre-IPO融资，推进8英寸GaN-on-SiC量产。公司通过技术轨道上市申请，并已锁定12英寸设备以应对未来需求。
产能扩张计划虽利好长期供应，但短期对现货价格影响中性。
三星8英寸GaN产线已就绪，目标2026年第二季度量产，并计划今年晚些时候推出SiC代工线。此举是三星扩大在下一代功率半导体领域布局的一部分。
GaN与SiC产能的远期扩张计划，为相关功率芯片的长期供应增加压力。
三星首条8英寸GaN产线预计2026年Q2量产，初始营收预计低于1万亿韩元。公司已投资约1000-2000亿韩元购置设备，并计划年内启动SiC产线。
新增产能属远期供给，且已延迟、初期规模有限，对当前交易价格无直接影响。
iSABers完成5亿元融资，TBSTest完成12亿元Pre-IPO融资。资金将用于高端封装设备与ATE研发扩产，加速国产化进程。
国内半导体设备厂商，长期供应能力提升。
三星电子计划最早于第二季度开始其氮化镓功率半导体代工产线的量产，并准备在今年晚些时候生产碳化硅样品。此举标志着三星正式进入高增长的宽禁带功率半导体代工市场。
氮化镓及未来碳化硅代工产能的增加，可能对相关功率半导体中期价格构成下行压力。
三星电子将于第二季度启动8英寸GaN功率半导体代工产线量产，并已获得客户。此举标志着三星正式进入GaN代工领域，DB HiTek与SK Keyfoundry亦计划跟进。
GaN晶圆及代工供应增加，迎合电动车充电桩与AI数据中心需求增长，但初期营收贡献有限。
安世半导体中国启动12英寸晶圆分立器件小批量生产，宣称单片晶圆产出较8英寸工艺提升近一倍。此举源于荷兰政府阻止产能转移后引发的运营分裂及付款纠纷，中国区占安世全球产量50-75%。
长期或降低成本并稳定供应，但短期供应链分裂与质量不确定性可能加剧车用及消费电子领域分立器件的紧缺与价格波动。
台积电计划于2027年7月31日退出GaN代工业务，罗姆半导体获得其技术授权，将于2027年在浜松工厂建立专用生产线。此举旨在应对AI服务器等先进应用需求的激增，同时台积电加速向技术授权模式转型，格芯和Vanguard等厂商也相继跟进。
GaN功率器件供应格局，预计未来几年GaN产能将向IDM厂商转移，价格走势受供需结构变化支撑。
日本晶圆代工厂Rapidus获得政府及30家私企2500亿日元注资，用于北海道2纳米产线建设，目标2027财年量产。日本政府持有“黄金股”并计划将先进半导体支持预算增至约1.23万亿日元。
此举为2027年后高端逻辑芯片供应格局增添变数，但对当前交易无直接影响。
CHIPX计划在马来西亚新建8英寸GaN-on-SiC晶圆厂，为东盟首个同类前端产线。该投资旨在推动马来西亚进入前端制造，满足AI与高性能计算对先进光子学及材料的需求。
新增GaN/SiC晶圆产能计划，长期可能缓解该细分市场供应紧张，对相关功率及射频半导体价格构成下行压力。
Veeco公司获得来自一家主要功率半导体IDM的Propel300 MOCVD设备订单，用于300mm硅基氮化镓外延生产。该订单由电动汽车和数据中心等应用需求推动，反映了IDM对GaN产能的持续投资。
设备采购预示未来GaN功率器件供应将增加，可能缓解长期价格压力，但对现货交易的直接影响尚不确定。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |