英伟达锁定台积电1.6nm产能，Feynman H2 2028量产
英伟达已预订台积电1.6nm（A16）产能用于Feynman GPU，计划于2028年下半年量产。A16采用GAA晶体管与背面供电技术，性能优于2nm工艺。
利多
确认了英伟达未来高端GPU需求及台积电先进制程产能利用率。
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英伟达已预订台积电1.6nm（A16）产能用于Feynman GPU，计划于2028年下半年量产。A16采用GAA晶体管与背面供电技术，性能优于2nm工艺。
确认了英伟达未来高端GPU需求及台积电先进制程产能利用率。
三星计划将NRD-K 2号线转为代工产线，生产2nm HBM基板以应对NVIDIA需求。此举旨在利用GAA 2nm工艺提前锁定HBM5产能。
HBM供应链，预计2028年下半年量产。
Rapidus完成2nm GAA原型，获政府注资，但无量产客户签约。虽有60家潜在客户洽谈，但尚未签署量产协议，2027年量产目标面临不确定性。
新厂产能扩张计划虽具潜力，但缺乏实际订单支撑，短期供需影响有限。
ASML预计数月内出货首颗高阶EUV芯片，英特尔与SK海力士加速采用，TSMC因成本高昂推迟布局。
高阶光刻设备需求，但TSMC与三星策略分化将影响未来产能。
台积电宣布在台南（2027H1）、亚利桑那（2027H2）和日本（2028年）扩建3纳米产能，并计划将部分5纳米产能转向3纳米。此举基于3纳米节点的高利润率（超60%）及在代工市场的绝对主导地位。
新增产能集中于2027年后，属长期结构性扩产，对当前现货市场无直接影响。
日本晶圆代工厂Rapidus获得政府及30家私企2500亿日元注资，用于北海道2纳米产线建设，目标2027财年量产。日本政府持有“黄金股”并计划将先进半导体支持预算增至约1.23万亿日元。
此举为2027年后高端逻辑芯片供应格局增添变数，但对当前交易无直接影响。
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