英伟达锁定台积电1.6nm产能，Feynman H2 2028量产
英伟达已预订台积电1.6nm（A16）产能用于Feynman GPU，计划于2028年下半年量产。A16采用GAA晶体管与背面供电技术，性能优于2nm工艺。
利多
确认了英伟达未来高端GPU需求及台积电先进制程产能利用率。
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- Nvidia, TSMC
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英伟达已预订台积电1.6nm（A16）产能用于Feynman GPU，计划于2028年下半年量产。A16采用GAA晶体管与背面供电技术，性能优于2nm工艺。
确认了英伟达未来高端GPU需求及台积电先进制程产能利用率。
ASML预计数月内出货首颗高阶EUV芯片，英特尔与SK海力士加速采用，TSMC因成本高昂推迟布局。
高阶光刻设备需求，但TSMC与三星策略分化将影响未来产能。
TSMC 3nm月产能预计2026年底达18万片，年增超40%；2nm产能亦将激增至10万片。主要受NVIDIA、AMD及汽车领域AI硬件强劲需求驱动。
产能大幅扩张可能缓解供应紧张，导致现货价格承压或趋于平稳。
英伟达已暂停H200生产，将台积电产能转向Vera Rubin。此举源于美国对华出口许可限制，现有约25万片H200库存预计可满足短期需求。
供应链中断明确，但政策依赖与库存缓冲使价格方向不确定。
台积电N2制程未来两年产能几近售罄，客户被要求锁单至2027年第二季度。AI GPU需求激增及云服务商军备竞赛加剧了先进制程产能争夺。
产能锁定周期拉长至六个季度，预示代工价格坚挺及高端芯片供应将持续紧张。
台积电今年在中国台湾地区同步推进多达十座晶圆厂建设，涵盖2nm、A16、A14制程及先进封装。此举旨在巩固其在先进制程领域的绝对领先地位。
大规模先进产能的长期扩张将增加未来供应，对高端逻辑芯片的定价构成潜在压力。
台积电据报在台湾北部、中部和南部科学园区共有10座晶圆厂在建或计划于2026年动工，聚焦2nm、A16、A14及先进封装产能。此举紧随其2026年520-560亿美元资本支出指引，同比激增约30%。
激进的产能扩张计划预示着长期供应增加，可能缓解先进制程的代工定价压力。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |