SK海力士扩产成熟NAND 5万片/月
SK海力士计划于2027年上半年将大连工厂产能提升至5万片/月,主要生产100层级成熟NAND闪存。该扩产聚焦于成熟浮栅技术,将先进375层技术保留在清州工厂。
利空
成熟NAND供应,价格承压下行。
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- SK Hynix, Solidigm
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SK海力士计划于2027年上半年将大连工厂产能提升至5万片/月,主要生产100层级成熟NAND闪存。该扩产聚焦于成熟浮栅技术,将先进375层技术保留在清州工厂。
成熟NAND供应,价格承压下行。
三星德州工厂将量产特斯拉AI5 SoC,采用SF2 2nm工艺。此次合作利用了《芯片法案》资金,是三星在美国的首个大规模先进制程项目。
三星产能利用率及LPDDR5X需求,验证2nm节点良率。
三星西安工厂已完成向236层NAND的工艺转换,并计划在2026年前升级至286层;SK海力士计划于2026年下半年重启大连二期工厂的设备安装。此举源于对老旧产品需求减弱、中国竞争对手技术追赶以及美国设备进口限制带来的升级压力。
两家头部厂商在中国工厂的先进制程产能扩张计划,预计将增加未来高层数NAND的供应,对中长期价格构成下行压力。
三星电子将重启8纳米DUV节点,为英伟达生产GeForce RTX 3060 GPU,预计三月中旬供货。此举旨在利用三星旧有产能满足特定型号需求,从而将台积电5纳米产能留给英伟达新一代Blackwell等架构。
供应链策略性调整,需关注三星8纳米节点产能分配对成熟制程晶圆价格及二手GPU市场供给的潜在影响。
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