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Sat, Feb 28, 2026

2 items

12:02Impact score 95
Gartner：2026年DRAM与SSD价格将暴涨130%
Gartner预计2026年DRAM与SSD整体价格涨幅将达130%，导致PC整机成本上涨17%。存储成本占PC总成本比例将从16%升至23%，将毁灭500美元以下PC市场并延长换机周期。
利多
对存储现货价格构成明确、量化的上涨压力，交易面供应趋紧。
DRAM SSDPrice Movement
08:37Impact score 98
新洁能MOSFET涨价10%起，士兰微跟涨
新洁能宣布MOSFET产品涨价10%起，士兰微、英飞凌等企业涨幅普遍在10%至20%之间。此次涨价由原材料成本压力加剧与AI驱动的结构性需求爆发共同推动。
利多
功率半导体行业迎来新一轮涨价潮，现货价格预计将持续上行。
MOSFETNew Clean Energy, Infineon and 4 totalPrice Movement

Fri, Feb 27, 2026

18 items

23:39Impact score 98
DRAM NAND合约价环比涨55%
2026年第一季度通用型DRAM合约价格环比涨幅将达55%至60%，NAND闪存价格上升超过30%。AI服务器需求挤压消费电子供应，手机厂商采购成本同比大涨超80%。
利多
存储芯片价格，手机BOM成本增加8%至12%。
DRAM NAND Flash QLCPrice Movement
22:24Impact score 95
英伟达DGX Spark因内存短缺提价18%
英伟达DGX Spark AI迷你PC官方建议零售价上调18%至4699美元，主因全球内存供应紧张。新价格已在官网生效，其他销售渠道将陆续更新。
利多
此次官方提价直接印证了LPDDR5X内存供应短缺，可能对现货市场价格构成上行压力。
LPDDR5XNvidiaPrice Movement
21:44Impact score 95
存储股盘前普跌，闪迪领跌超3%
美股芯片存储板块盘前走低，闪迪跌超3%，美光、西部数据、希捷均跌超2%。此盘前下跌反映了市场对存储板块的即时负面情绪。
利空
直接的价格下跌信号，预示存储相关股票及组件短期可能承压。
NAND Flash DRAMWestern Digital, Micron Technology and 3 totalPrice Movement
20:34Impact score 92
MLCC现货价涨10%-15%，厂商订单排期半年
MLCC现货自去年10月起涨价，高规格产品涨幅达10%-15%，中低规格产品涨幅约5%-8%。广东高端MLCC厂商春节期间保持满产，湖南厂商订单排期至半年后，风华高科产能利用率回升至80%-90%。
利多
现货价格明确上涨，订单饱满且产能利用率高企，显示MLCC供需趋紧。
MLCCFengHua GaoKePrice Movement
20:31Impact score 95
MLCC现货价涨10%-15%，风华高科产能利用率达90%
MLCC现货自去年10月起涨价，高规格产品涨幅达10%-15%，中低规格产品涨幅约5%-8%。广东高端MLCC厂商春节期间维持生产，风华高科产能利用率已回升至80%-90%。
利多
现货价格明确上涨，产能利用率高企，显示需求回暖与供应趋紧。
MLCCFengHua GaoKePrice Movement
19:49Impact score 95
NVIDIA DGX Spark工作站官方涨价17.5%
NVIDIA官方将DGX Spark迷你AI工作站公版价格从3999美元上调至4699美元，涨幅达17.5%。涨价原因为全球内存供应持续紧张，且为全球性调整。
利多
此次直接提价确认了高端内存供应紧张，将推高下游AI硬件采购成本。
LPDDR5X SSDNVIDIAPrice Movement
18:04Impact score 95
SK海力士DDR5涨价40%，三星对苹果提价100%
SK海力士通知客户DDR5内存颗粒涨价40%，已有模组厂暂停报价。三星在与苹果的谈判中提出内存价格涨幅高达100%并被接受，惠普预计今年内存成本占PC物料成本比例将翻倍至35%。
利多
上游原厂强势提价，将直接推高现货与合约市场价格，加剧供应紧张预期。
DDR5SK Hynix, Samsung ElectronicsPrice Movement
17:30Impact score 95
SK海力士DDR5颗粒提价40%，模组厂暂停报价
SK海力士已通知客户DDR5内存颗粒将涨价40%，部分模组厂已暂停对外报价。三星在与苹果的供应谈判中，也成功将内存价格上调了60%-100%。
利多
两大原厂直接提价且幅度巨大，将立即推高下游采购成本与现货市场价格。
DDR5SK Hynix, Samsung ElectronicsPrice Movement
17:18Impact score 95
三星LPDDR5X内存对苹果涨价100%
三星半导体部门对苹果LPDDR5X内存报价涨幅达100%并获立即接受，反映供应紧张。该内存单价据报已从2025年初的25-29美元攀升至约70美元。
利多
确认的巨额合约涨价直接推高智能手机关键存储组件成本。
LPDDR5XSamsung Electronics, SK Hynix and 3 totalPrice Movement
16:57Impact score 95
碳酸锂主力合约大涨11%突破16万元，机构看涨至20万
津巴布韦暂停锂原矿及精矿出口，叠加澳洲锂矿复产缓慢及库存周期不足一个月，广期所碳酸锂主力合约次日大涨逾11%突破16万元/吨。国信证券预计碳酸锂短期有望涨至20万元/吨以上，因储能需求超预期爆发弥补了动力电池季节性缺口。
利多
供给密集扰动与需求端储能爆发同步收紧市场，库存极低背景下价格弹性被显著放大。
碳酸锂Price Movement
16:34Impact score 95
英伟达DGX Spark工作站涨价700美元
英伟达将DGX Spark AI工作站建议零售价上调700美元至4699美元，因内存供应受限。本次调价已生效，适用于全球市场，且不涉及硬件配置变更。
利多
高端AI产品直接提价，明确反映行业内存短缺，对LPDDR5X现货价格构成上行压力。
LPDDR5XNVIDIAPrice Movement
16:32Impact score 95
英伟达DGX Spark涨价17.5%至4699美元
NVIDIA将DGX Spark AI开发系统的MSRP上调700美元至4699美元，涨幅17.5%。此次调价归因于影响其128GB LPDDR5X内存成本的行业性DRAM与NAND闪存短缺。
利多
直接的价格上涨行动，预示内存组件成本及相关系统价格面临上行压力。
LPDDR5X DRAM NAND FlashPrice Movement
15:14Impact score 95
天工国际上调刀具价格，最高涨幅20%
天工国际宣布自2026年3月1日起上调硬质合金切削工具价格15%-20%，并于3月5日起上调天工品牌全系列刀具价格8%-10%。此次调价主因原材料价格大幅上涨及上游粉料端限制出货。
利多
明确的涨价公告将直接推高相关工具采购成本。
硬质合金切削工具刀具天工国际, 江苏天工硬质合金科技有限公司Price Movement
15:10Impact score 98
手机存储现货价涨超300%
TrendForce数据显示，手机存储芯片现货价近三月累计涨幅超300%，1TB闪存成本涨超200%。受此影响，国内主流手机品牌拟于2026年3月集体调价，千元机BOM成本已突破售价红线。
利多
存储芯片供应商，千元机市场面临生存危机，整机价格被迫上调。
LPDDR5X UFS4.0 NAND FlashTrendForce, Domestic mainstream phone brandsPrice Movement
14:51Impact score 95
天工国际上调高速钢价格，最高涨5000元/吨
天工国际宣布自2026年3月1日起，对高速钢合同订单实施调价，具体为每含1%钼上调1000元/吨，每含1%钨上调5000元/吨，每含1%钒上调300元/吨。此次调价主因是近期钨铁、钼铁等合金及废钢原材料价格持续上涨。
利多
直接、量化的价格上调，将传导至下游工具、模具等制造业成本。
高速钢天工国际Price Movement
13:39Impact score 96
DRAM合约价Q4涨50%，Q1预估再飙95%
TrendForce报告显示，2025年第四季度一般型DRAM合约价环比上涨45-50%，含HBM的整体合约价上涨50-55%。一季度因CSP为确保供应量积极采购，预计将推动一般型DRAM合约价再涨90-95%。
利多
合约价涨幅连续两季大幅加速，明确指向供应极度紧张及CSP需求驱动下的强势定价权。
DRAM HBMSamsung Electronics, SK Hynix and 3 totalPrice Movement
13:20Impact score 92
英伟达显卡供应紧张至4月，溢价200至500美元
英伟达CFO确认游戏显卡供应将持续紧张至2026年4月，高端型号溢价200至500美元。AI业务收入是游戏的12倍，产能优先分配给数据中心。
利多
供需失衡加剧，现货价格维持高位。
Gaming GPUs Discrete GraphicsNVIDIA CorporationShortage Alert
13:06Impact score 95
存储芯片成本飙升，中国手机3月全面涨价超千元
主流中国手机品牌将于2026年3月起全面涨价，新品最低涨幅超1000元，市场均价预计上涨15%-25%。本轮涨价由存储芯片成本驱动，Q1通用DRAM合约价预计环比涨55-60%，NAND Flash涨33-38%。
利多
上游存储芯片价格失速上涨已明确传导至终端，加剧中低端机型成本压力，预示供应链价格将持续坚挺。
DRAM NAND FlashPrice Movement