稳懋推出0.12微米GaN-on-SiC工艺

稳懋半导体推出针对线性度优化的0.12微米耗尽型GaN-on-SiC HEMT工艺NP12-1B。该技术旨在提升功率放大器性能，属于其代工服务的技术路线图更新。利多/利空/关注: 中性，此为长期技术研发进展，对当前GaN元件现货市场的供需与价格无直接影响。

来源：Semiconductor Today · 2025/6/4 · 查看原始来源