NuAxi半导体贸易情报
低影响影响力评分：12/100
ASML新一代EUV光刻机目标2030年功率提升50%
ASML确认新一代Twinscan NXE EUV光刻机研发顺利，目标将光源功率提升50%至1000W，生产效率提升20%至每小时330片晶圆，预计2030年或更晚商用。该技术需突破脉冲光源、锡滴发生器、光学系统等多重障碍，且尚未纳入官方高低NA路线图。中性：此为远期研发规划，对当前元器件供应、价格及交易决策无直接影响。
EUV Lithography Systems
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来源：cnBeta · 2026/2/24 · 查看原始来源
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