Imec创GaN-on-Si射频晶体管性能纪录

比利时研究机构Imec展示了在低电压下实现创纪录效率与输出功率的增强型GaN-on-Si MOSHEMT晶体管，并取得0.024Ω·mm的接触电阻。该技术旨在推动GaN集成于面向7-24GHz 6G FR3频段的下一代移动设备。中性：此为远期研发进展，对当前射频GaN元件交易价格与供应无直接影响。

来源：Semiconductor Today · 2025/6/12 · 查看原始来源