NuAxi半导体贸易情报
低影响影响力评分:12/100
ASML EUV光刻机远期目标:1000W光源+20%产能提升
ASML确认新一代Twinscan NXE EUV光刻机研发进展,目标将光源功率提升50%至1000W,生产效率提升20%至每小时330片晶圆,预计2030年或更晚商用。该技术需突破三脉冲光源、锡滴发生器、杂质收集及光学系统等多重障碍。中性:此为远期技术路线图,对当前组件供应、价格及交易决策无直接影响。
EUV Lithography
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来源:快科技 · 2026/2/24 · 查看原始来源
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