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NuAxi半导体贸易情报
低影响影响力评分:10/100

露笑科技完成12英寸碳化硅全流程工艺开发

露笑科技宣布成功制备12英寸碳化硅单晶样品,完成从长晶到衬底的全流程工艺开发。此为国内宽禁带半导体材料国产替代进程中的一项研发进展。中性:该技术里程碑对当前电子元器件的供应、价格及交易决策无直接影响。

SiC Substrate
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来源:格隆汇·半导体 · 2026/2/23 · 查看原始来源

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