NuAxi半导体贸易情报
低影响影响力评分：8/100
TSMC简化5nm以下节点工艺，目标间距35nm
TSMC专利披露一项采用单次EUV曝光与角度蚀刻实现35nm以下间距的工艺简化技术，旨在减少5nm及以下节点的制造步骤。此举为应对先进制程微缩挑战，提升良率与成本效率的研发进展。利多/利空/关注: 中性，此为长期技术演进，对当前组件供应与价格无直接影响。
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来源：SemiWiki · 2026/2/22 · 查看原始来源
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