东芝新技术降低SiC开关损耗28%

东芝发布新型栅极驱动技术，将SiC MOSFET的开关损耗降低28%，主要面向电动汽车和数据中心电源。该技术旨在提升下一代电力系统的能源效率。利多/利空/关注: 中性，此为长期研发进展，对当前SiC MOSFET或栅极驱动器的供应、价格及交易无直接影响。

来源：EE Times Japan · 2026/2/17 · 查看原始来源