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ASML High-NA EUV光刻机2027年量产

ASML预计其High-NA EUV光刻机将于2027-28年投入量产,英特尔、三星和SK海力士将成为首批采用者。该技术是未来生产1.4纳米逻辑芯片和10纳米以上DRAM的关键。中性:此为长期研发路线图,对当前组件供应、价格及产能无直接影响。

Logic (1.4nm)DRAM (10nm-and-beyond)
EUVHigh-NAroadmapR&D

来源:TrendForce · 2026/2/15 · 查看原始来源

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