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北京法院维持EPC GaN专利有效,驳回英诺赛科上诉
北京知识产权法院驳回英诺赛科上诉,维持EPC补偿栅极GaN专利在华有效性。该判决巩固了EPC在中国GaN-on-Si功率器件市场的知识产权地位。中性:此法律裁决未立即改变GaN元件的供应、需求或价格,但可能长期小幅利好EPC的竞争地位。
GaN FETPower Management IC
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来源:Semiconductor Today · 2025/8/5 · 查看原始来源
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