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SemiQ 推出 750 V 和 1200 V 第四代 SiC MOSFET，器件即刻可用

发生了什么

SemiQ Inc. 宣布推出第四代 QSiC™ 碳化硅（SiC）功率器件，包括 1200 V 和 750 V 的 MOSFET 及裸片，器件即刻可用。Gen4 技术采用优化单元拓扑，单元间距缩小 36%，并对 JFET 和 P 阱注入进行改进，官方称比上一代比导通电阻降低 23%。1200 V 器件与 Gen3 相比漏源导通电阻（RDS(on)）降低 21%，从 14 mΩ 降至 11 mΩ；总开关能量降低超过 11%，从 1,677 µJ 降至 1,491 µJ，同时保持与上一代 1200 V 器件相同的 5 × 5 mm 裸片尺寸。新推出的 750 V SiC MOSFET 提供 9 mΩ 的 RDS(on) 和 871 µJ 的总开关能量。1200 V 器件栅氧烧电筛选电压超过 1,400 V，750 V 器件超过 800 V，两种器件均通过 800 mJ 雪崩测试。器件采用四引脚 TO-247-4L 封装并提供裸片形式。SemiQ 计划在 2026 年 11 月 10–13 日举行的 Electronica 2026 的 Alfatec 展位 A6.620 展示 Gen4 产品组合。目标应用包括电动汽车充电基础设施、太阳能逆变器、高压 DC/DC 和 DC/AC 转换器、开关电源、不间断电源、感应加热、焊接设备和电机驱动。原文未说明除产品发布外的其他事件原因。