回顾65年前报道：半导体压电特性可通过耗尽层加以利用，谐振频率可达300 Mc/s以上，贝尔实验室Donald L. White持续研究

发生了什么

Electronics Weekly回顾其65年前（其5月3日版'Tomorrow's Thinking'专栏）刊载的一篇历史性故事：当时许多半导体（包括砷化镓和硫化镉等晶体结构）的压电特性尚未被利用。文中说明，材料此前因导电性过强而无法利用该效应，但通过形成耗尽层即可使用——耗尽层被清扫掉移动载流子后，可维持观察压电效应所需的高电场强度。由于耗尽层厚度取决于电压，切片的谐振频率可变，可获得从300 Mc/s到远超1,000 Mc/s的谐振频率。该工作已通过石英换能器经压电半导体将信号耦合入530 Mc/s谐振腔得到验证；所得延迟脉冲的幅度对电压非常敏感，证明其源于耗尽层而非半导体体材料或石英中的效应。Donald L. White正在贝尔电话实验室开展进一步工作，目前致力于提高工作频率与带宽并改善效率。本条为历史背景内容，不涉及当前价格或供需事件。

影响与信号

受影响器件与厂商

来源与时间

来源：Electronics Weekly · 2026/10/26 · 查看原始来源