Atomera与IQE签署联合开发协议，携手推进基于MST硅衬底的RF GaN-on-silicon研发

发生了什么

Atomera（半导体晶体管材料与技术授权公司）宣布与IQE签署联合开发协议（JDA），目标是把高性能、高性价比的RF GaN推向市场。该合作结合Atomera近期公布的将Mears Silicon Technology（MST）应用于RF GaN硅衬底的技术，以及IQE在化合物半导体外延方面的专长。双方将合作在Atomera的MST硅晶圆上展示GaN外延，初期聚焦RF GaN-on-silicon应用，旨在面向大批量RF市场展示一流的线性度和损耗。项目将围绕MST-enabled GaN-on-silicon晶圆的生产与测试展开，目标是快速开发最优材料并向代工厂、IDM和fabless客户提供样品。双方预计开发为多轮次流程，并保留扩大合作的余地，包括进一步优化RF GaN以及拓展功率电子等其他GaN用例。这是已签署的合作开发协议，属于计划中的开发项目，尚未涉及量产或商业化成果。

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来源：Electronics Weekly · 2026/10/25 · 查看原始来源