ETH苏黎世与纽约大学研究人员发表论文，对真实HBM2 DRAM芯片功耗进行首次全面实验表征与建模

苏黎世联邦理工学院（ETH Zürich）与纽约大学的研究人员发表了一篇技术论文，题为《Understanding the Power Consumption of Modern High Bandwidth Memory: Experimental Analysis and Modeling Using Real HBM2 DRAM Chips》。摘要节选指出，他们对真实HBM2 DRAM芯片的功耗进行了首个全面的实验表征，其广泛的表征结果之一为经验性（empirical）结果。原文未说明原因，该事件为学术研究发布，与价格或供应变动无关。

来源：Semiconductor Engineering · 2026/10/14 · 查看原始来源