Sandia National Laboratories与Luxembourg Institute of Science and Technology发表GAAFETs泄漏路径模拟研究

沙迪亚国家实验室和卢森堡科学技术研究院的研究人员发表了一篇题为《使用预测性第一原理模拟揭示GAAFETs的新泄漏路径》的技术论文。摘要指出，GAAFETs作为FinFETs的继承者，是先进半导体节点持续缩放的核心，尽管其改进……

来源：Semiconductor Engineering · 2026/10/14 · 查看原始来源