瑞萨电子提供业界首款双面散热650-V GaN FET TP65H020G4PLSGBD样品，面向800-V HVDC AI数据中心，量产计划于2027年年中

瑞萨电子正在提供样品（sampling），其称为业界首款面向800-V HVDC AI数据中心高密度功率转换、采用双面散热的650-V GaN FET，型号为TP65H020G4PLSGBD，导通电阻为20-mΩ，据瑞萨称在其类别中处于最低之列。与常规顶面散热封装不同，该器件从顶部和底部散热，将顶面热阻抗降低10%；其8×8-mm PQFN封装相比10×15-mm TOLT封装将占板面积缩小57%。该D-mode FET基于Gen IV Plus GaN架构构建，面向工作电压最高700 V的系统，瞄准800-V DC/DC中间总线级（降至48 V、12 V或6 V）以及sidecar电源机架的电池备份和电容组级。该器件可用标准硅栅极驱动器驱动，并与E-mode GaN器件引脚兼容，其较高的4 V典型阈值电压提供更好的噪声抗扰度。TP65H020G4PLSGBD的量产计划于2027年年中（mid-2027）进行，目前仍为计划，尚未量产。

来源：EDN · 2026/10/7 · 查看原始来源