NuAxi半导体贸易情报
低影响影响力评分:10/100
LPE与IME合作研发200mm SiC外延工艺
LPE与新加坡IME宣布合作研发高质量200mm碳化硅及特种外延工艺,旨在提升生长速率与均匀性。该合作属于早期研发阶段,旨在推进200mm SiC晶圆的技术成熟度。利多/利空/关注: 中性,此为远期技术研发,对当前SiC外延片及功率器件的供应、价格及交易无直接影响。
SiC Epitaxial Wafers
R&DSiCepitaxy200mm
来源:Semiconductor Today · 2022/7/21 · 查看原始来源
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