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牛津仪器推出SiC衬底等离子抛光新工艺

牛津仪器等离子技术推出SiC衬底等离子抛光工艺,替代传统化学机械抛光。该技术旨在解决CMP相关的技术瓶颈、环境问题及供应链风险。中性:此为长期制造工艺演进,对当前碳化硅衬底供应、价格及交易决策无直接影响。

Silicon Carbide Substrates
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来源:Semiconductor Today · 2022/8/29 · 查看原始来源

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