NuAxi半导体贸易情报
低影响影响力评分：10/100
OIPT等离子体SiC衬底处理方案获验证
牛津仪器等离子体技术公司验证其等离子体蚀刻可替代CMP进行碳化硅衬底外延前处理，宣称可降低运营成本并提高良率。该技术旨在支持行业向更薄晶圆过渡，从而提升每根晶锭的产出片数。利多: 长期看可能提升SiC器件制造效率，但对当前现货价格及短期供需无直接影响。
Silicon Carbide Substrates
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来源：Semiconductor Today · 2022/9/1 · 查看原始来源
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