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安森美联手英诺赛科加速GaN功率器件部署

安森美与英诺赛科签署谅解备忘录,将合作加速部署40-200V GaN功率器件。此举旨在利用英诺赛科的200mm硅基氮化镓晶圆制造能力,扩大客户采用范围。关注:合作可能通过提升供应链效率促进GaN长期需求,但备忘录不具约束力且聚焦未来部署,短期交易影响有限。

GaN Power Devices
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来源:Semiconductor Today · 2025/12/3 · 查看原始来源

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